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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装,为现代汽车应用提供更高效率

  • 英飞凌科技股份公司近日推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计,并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此,SSO10T TSC适用于电动助力转向(EPS)、电子机械制动(EMB)、配电、无刷直流驱动器(BLDC)、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。SSO10T TSC的占板面积为5
  • 关键字:英飞凌功率MOSFETSSO10T TSC顶部冷却封装

恩智浦推出新的射频功率器件顶部冷却封装技术

  • ● 全新射频功率器件顶部冷却封装技术有助于打造尺寸更小巧、轻薄的无线单元,部署5G基站更快、更轻松● 简化设计和制造,同时保证性能 荷兰埃因霍温——2023年6月9日——恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.,纳斯达克股票代码:NXPI)宣布推出顶部冷却式射频放大器模块系列,其中采用的创新封装技术有助于为5G基础设施打造更轻薄的无线产品。尺寸更小的基站可以提高安装的便利性和经济性,同时能够更分散地融入环境。恩智浦的GaN多芯片
  • 关键字:恩智浦射频功率器件顶部冷却封装5G无线产品

英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准

  • 【2023年4月13日,德国慕尼黑讯】追求高效率的高功率应用持续向更高功率密度及成本最佳化发展,也为电动汽车等产业创造了永续价值。为了应对相应的挑战,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)宣布其高压MOSFET 适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。这项举措不仅进一步巩固了英飞凌将此标准封装设计和外型的TSC 封装推广至广泛新型设计的目标,也给OEM 厂商提供了更多的弹性与优势,帮助他们在市场中创造差异化的产品,并
  • 关键字:英飞凌QDPAKDDPAK顶部冷却封装JEDEC
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顶部冷却封装介绍

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