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优化高电压IGBT实现高效率太阳能逆变器制作

  • 随着绿色电力运动势头不减,包括家电、照明和电动工具等应用,以至其他工业用设备都在尽可能地利用太阳能的优点...
  • 关键字:高电压IGBT太阳能逆变器

正负100V共模高电压输入差动放大器

  • 电路的功能众所周知,OP放大器的共模抑制比(CMRR)非常大。但是,如果共模电压高于电源电压,OP放大器就不能正常工作,通常当电源电压(VOO)为正负15V时,共模电压应在正负10V以内。本电路中OP放大器反相工作,所以
  • 关键字:100V高电压差动放大器

高电压大容量电解电容器的修理

  • 方法是这样的:参照图5-9(C),将电容器的压封槽下沿锯一周,小心取下铝壳,把中间和外面有介质层的两张卷状金属箔极板 ...
  • 关键字:高电压大容量电解电容器

优化高电压IGBT设计方案

  • 随着绿色电力运动势头不减,包括家电、照明和电动工具等应用,以至其他工业用设备都在尽可能地利用太阳能的优点...
  • 关键字:高电压IGBT设计

MAX1614 可为最高至26V提供保护的高电压线路断

  • MAX1614 可为最高至26V提供保护的高电压线路断
  • 关键字:高电压MAX1614

可获得400VP-P输出的高电压增强器

  • 电路的功能OP放大器的输出振幅幅值为正负10~30V,需要数百伏幅值的静电激励器或压电器件就要使用专门的激励放大器,也有采用由耐高压晶体管组成的独立电路的。本电路主要应用OP放大器的直流特性,在OP放大器后面增加
  • 关键字:VP-P400高电压增强器

可以输入正负100V共模电压的高电压输入差动放大器

  • 电路的功能众所周知,OP放大器的共模抑制比(CMRR)非常大。但是,如果共模电压高于电源电压,OP放大器就不能正常工作,通常当电源电压(VOO)为正负15V时,共模电压应在正负10V以内。本电路中OP放大器反相工作,所以
  • 关键字:100V输入共模电压高电压

HVVi推出首个高频高电压垂直场效应三极管

  •   HVVi推出首个高频高电压垂直场效应三极管 HVVi半导体推出首个高频高电压垂直场效应三极管(HVVFET?),HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级,远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利的技术使得HVVi达到了可与非硅芯片技术的性能级别,而其成本水平却极具吸引力。   作为初始发布的一部分,HVVi还推出基于这一新颖HVVFET构架的最早三款产品。用于L-波段高功率脉冲RF应用,如IFF,TCAS,TACAN以及Mode-S,三个新产品
  • 关键字:HVVi高频高电压场效应三极管

德州推出针对高电压工业市场的36V放大器

  • 德州仪器针对高电压工业市场的高精度 36 V 放大器使低功耗与小体积兼得 采用 TI 新型 36V 双极硅锗工艺开发而成的运算放大器 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出两款针对高电压工业市场的全新的高精度运算放大器——OPA211 与 OPA82。 与业界同类 36V 放大器相比,两款放大器均实现了超低噪声、低功耗、小封装尺寸以及高带宽等多种特性的完
  • 关键字:36V单片机德州仪器放大器高电压工业市场嵌入式系统模拟IC电源

Zetex 高电压MOSFET导通电阻最大仅150mΩ

  •  Zetex Semiconductors日前推出一款迎合预偏置供应电路要求的新型高电压MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V强化型N信道器件,可用于简单的线性调节器,在起动阶段为脉冲宽度调变(PWM)集成电路供应所需电压,然后在转换器完全激活后关掉。相比于其它倚赖电阻器的解决方案,这种以MOSFET为基础的解决方案有助改善系统效率和减省起动时间。   Zetex亚洲副总裁林博文指出,新MOSFET采用独特四脚型SOT223封装,能发挥最大的抗高压爬电效能。器件采用崭新导线
  • 关键字:MOSFETZetex高电压电阻电位器

用降压稳压器获取高电压

  • 几家半导体制造商所提供的电流型降压控制器的输入电压范围是30 ~ 36V,但输出电压范围只能从基准电压到大约6V;这种输出电压的局限性是电流检测放大器的共模电压限制引起的。在实际应用中,电源设计师必定能为打印机、服务器、路由器、网络设备和测试设备产生很高的输出电压。采用常规降压稳压器来提供较高的电压是一个难题。图1所示电路可解决这个难题:采用一个外部运算放大器、一个小信号pnp三极管和一个低输出电压降压稳压器,在负载电流高达2.5A时通过27V输入电源提供了
  • 关键字:高电压降压稳压器
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