- “3D Touch从今年开始将迈入实质性进展的一年。”自2015年Apple Watch最早采用Force Touch，随后iPhone 6s/6s Plus问世，带来了我们熟知的3D Touch，压力触控技术开始由平面转向三维，给人机交互带来了新风潮。 然而，在iPhone 6s推出前后，包括中兴、华为、HTC、小米、金立等手机厂商都有推出支持3D Touch功能的新品，但整个市场依旧泾渭分明，不温不火。 跟风苹果3D Touch但受两大因素限制 自苹果把3
- 关键字：3D TouchNDT
- 3D NAND比平面NAND更昂贵，但大家都期待它将有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，这是为什么呢?
- 关键字：3D NAND存储器
- 3D电影现在比比皆是，相必大家都不陌生了吧，但是你知道3D的原理吗?不知道的话，就随小编一起来学习一下吧~~~
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- 加拿大皇后大学人类媒体实验室研究员研发成功的“TeleHuman”3D全息投影设备，能将科幻片中经常出现的3D虚拟投影变成现实。这款设备开发本意就是用3D全息影像来代替现有的平面视频会议.
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- 近日科学家为身在国际空间站或者执行火星任务的宇航员研发了一种虚拟现实3D帽舌。佩戴该帽舌的宇航员可以看到覆盖在现实世界之上的虚拟图像，后者能够辅助宇航员独自进行外科手术治疗疾病。
- 关键字：3D太空手术创新技术
- 随着移动互联网的持续发展以及物联网的高速增长，移动宽带技术不断向前演进。移动宽带技术的发展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移动用户连 接数预计将达到70亿，覆盖全球96%以上的人口，其中3G和4G移动用户连接数之和也将达到24亿，占据全球总量的三分之一以上。这些数据表明MBB业 务正在快速增长。
- 关键字：移动通信天线技术创新3D-MIMO波束智能赋型
- DIGITIMES Research观察，2D NANDFlash制程在物理限制下难度加剧，透过3DNAND Flash制程，无论是效能及储存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可谓为摩尔定律在半导体内存领域延伸的一项重要技术。 3D NAND Flash依存储元件储存机制可分浮动闸极(Floating Gate;FG)及电荷缺陷储存(Charge Trap;CT);依不同堆栈结构技术又可分为BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
- 关键字：摩尔定律3D NAND
- 三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。 三星新芯片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 万亿韩元(约 144 亿美元)建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。 新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于数码相机、智能手机与其他 USB 界面储存设备。 市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储
- 关键字：三星3D NAND
- “首届IC咖啡国际智慧科技产业峰会”于2017年1月14日在上海召开，长江存储集团公司CEO杨士宁介绍了对存储器市场的看法，及选择3D NAND闪存作为主打产品的战略思考。
- 关键字：存储器3D NANDDRAM20170203
- 据海外媒体报道，传三星电子于2017～2018年，将大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元)，以迎接存储器市场史上最大需求热潮。 Chosun Biz日前引述业界消息指出，三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议，2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资，皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。 三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的2
- 关键字：三星3D NAND
- 容量更大、价格更低、寿命更长、速度更快，新世代SSD产品的卓越价格性能比，预期将大幅拉近与传统硬盘市场的规模差距，两种储存装置已逐渐接近黄金交叉点，高速大容量SSD将成为各式系统设备及消费者的优先选择。
- 关键字：3D NANDSSD
- 3D并不是什么新技术，在消费电子领域已有广泛的应用，但在汽车应用中却处于起步阶段，仍需要相关技术和解决方案有所突破。以汽车安全驾驶应用为
- 关键字：车载3D安全驾驶
- 去年英特尔宣布了内存技术突破。该公司推出了所谓的3D XPoint技术，它非常适合DRAM和SSD之间的市场。新的非易失性芯片据称会从根本上改变计算，但是现在传出这一技术及其产品将被严重推迟发布。 根据英特尔自己的营销材料显示，3D XPoint技术不仅提升非易失性存储器速度，而且还提供了出色的存储密度。这使得存储设备体积显着小于现有型号。英特尔当时宣称这一新技术不仅仅是一些概念证明，而是准备在今年全面生产与推广。不幸的是，现在看起来英特尔已经遇到麻烦，悄然大大推迟了3D XPoint技术和产品
- 关键字：英特尔3D XPoint
- 去年英特尔宣布了内存技术突破。该公司推出了所谓的3D XPoint技术，它非常适合DRAM和SSD之间的市场。新的非易失性芯片据称会从根本上改变计算，但是现在传出这一技术及其产品将被严重推迟发布。 根据英特尔自己的营销材料显示，3D XPoint技术不仅提升非易失性存储器速度，而且还提供了出色的存储密度。这使得存储设备体积显着小于现有型号。英特尔当时宣称这一新技术不仅仅是一些概念证明，而是准备在今年全面生产与推广。不幸的是，现在看起来英特尔已经遇到麻烦，悄然大大推迟了3D XPoint技术和产品
- 关键字：英特尔3D XPoint
- 摘要：由于智能手机、SSD市场需求强烈，闪存、内存等存储芯片最近都在涨价，这也给了中国公司介入存储芯片市场的机遇。在中国发展半导体产业的规划中，存储芯片是最优先的，也是全国各地都争着上马的项目，其中国家级的存储芯片基地在武汉，投资超过240亿美元，之前是新芯科技主导，现在已经变成了紫光公司主导，预计2017年正式推出自主生产的3D NAND闪存，而且是32层堆栈的，起点不算低。 2015年中，国家级存储芯片基地确定落户武汉市，由武汉新芯科技公司负责建设，今年3月份12寸晶圆厂正式动工，整个项目预
- 关键字：SSD3D NAND
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