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ST和Exagan携手开启GaN发展新章节

• 氮化镓（GaN）是一种III／V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率则分别为1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，让组件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，亦即相较于同尺寸的硅基组件，GaN可处理更大的负载、效能更高，而且物料清单成本更低。在过去的十多年里，产业专家和分析人士一直在预测，GaN功率开关组件的黄金时期即将到来。相较于应用广泛的MOSFET硅功率组件，GaN功率组件具备更高的效率和更强的功耗处理能力，这
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