IT之家 10 月 21 日消息,据 BusinessKorea 报道,三星电子 10 月 20 日在首尔江南区举行了 2022 年三星代工论坛。该公司代工业务部技术开发部副总裁 Jeong Ki-tae 表示,三星电子今年在世界范围内首次成功地量产了基于 GAA 技术的 3 纳米芯片,与 5 纳米芯片相比,3 纳米芯片的功耗降低了 45%,性能提高了 23%,面积减少了 16%。三星电子还计划不遗余力地扩大其芯片代工厂的生产能力,其目标是到 2027 年将其生产能力提高三倍以上。为此,这家芯片
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三星 GAA 技术
2022年6月30日,作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布, 基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。较三星5纳米(nm)而言,优化的3纳米(nm)工艺,性能提高23%,功耗降低45%,芯片面积减少16%三星电子首次实现GAA"多桥-通道场效应晶体管"(简称: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET)应用打破了FinFET技术的性能限制,通过降低工作电压水平来提高
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三星 3纳米 GAA
据台湾媒体报道,台积电冲刺先进制程,在2nm研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。台积电台媒称,三星已决定在3nm率先导入GAA技术,并宣称要到2030年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位,台积电研发大军一刻也不敢松懈,积极投入2nm研发,并获得技术重大突破,成功找到切入GAA路径。台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,还为此举办庆功宴,感谢研发工程师全心投入。台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产,业界以
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台积电 2nm GAA
每年十二月,在美国旧金山或华盛顿哥伦比亚特区其中一处举行的年度电子会议。此会议作为一个论坛,在其中报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理与模型等领域中的技术突破。这个会会议就是IEEE国际电子元件会议(International
Electron Devices Meeting,缩写:IEDM) 在每一界的IEDM上,全球工业界与学界的管理者、工程师和科学家将会聚集在一起讨论纳米级CMOS晶体管技术、先进内存、显示、感测器、微机电系统元件、新颖量子与纳米级规模元件、粒子物理学现象、光电工程、
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DRAM GAA-FET
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