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Zetex新型MOSFET适用于超低栅极驱动操作

  •   模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 Zetex Semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。   这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封装)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(两者均为SOT23封装)。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可
  • 关键字:MOSFET适Zetex超低栅极驱动电源技术模拟技术
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