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西安紫光国芯新一代多层阵列SeDRAM技术

• 近日，西安紫光国芯半导体股份有限公司（以下简称“西安紫光国芯”）在VLSI 2023技术与电路研讨会上(2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits)公开发表了技术论文——《基于小间距混合键合和mini-TSV的135GBps/Gbit 0.66 pJ/bit 嵌入式多层阵列 DRAM》（135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch H
• 关键字：西安紫光国芯SeDRAM