首页 资讯 商机 下载 拆解 高校 招聘 杂志 会展 EETV 百科 问答 电路图 工程师手册 Datasheet 100例 活动中心 E周刊阅读 样片申请
EEPW首页>> 主题列表>> sir680adp

sir680adp文章进入sir680adp技术社区

Vishay推出高效80 V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8单体封装的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）为129 mW*nC，达到同类产品最佳水平。
  • 关键字：SiR680ADPMOSFETVishay
共1条 1/11

sir680adp介绍

您好，目前还没有人创建词条sir680adp!
欢迎您创建该词条，阐述对sir680adp的理解，并与今后在此搜索sir680adp的朋友们分享。 创建词条

热门主题

树莓派 linux
关于我们- 广告服务- 企业会员服务- 网站地图- 联系我们- 征稿- 友情链接- 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473