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英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片,以增强特性进一步提高系统能效

  • 英飞凌科技股份公司近日发布了一项全新的CoolSiC™技术,即CoolSiC™ MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅(SiC)芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列,以及采用基于.XT互连技术的分立式封装,具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性,适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统,如光伏逆变器。同时,这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。CoolSiC技术取得的最新进展使得栅极驱动电压窗口明显增大,从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时,随着栅极运行
  • 关键字:SiC太阳能MOSFET

克服疫情,大湾区首台全自动化SiC动态测试系统在北理汽车研究院交付

  • _____日前,泰克携手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大学深圳汽车研究院交付了一台全自动化SiC功率模块动态测试系统,此为今年度向客户交付的第五台SiC功率模块动态测试系统,亦是大湾区的首台全自动化SiC功率模块动态测试系统。此系统集成了来自泰克的专门针对第三代半导体测试的硬件设备,从而解决了“测不准”、“测不全”、“不可靠”这三个难题的挑战。忱芯作为泰克科技的解决方案合作伙伴,在去年“碳化硅功率半导体及应用研讨会”上结成了全范围的战略合作联盟,进行深度整合资源,围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的
  • 关键字:TektroniSiC动态测试系统

ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制

  • 半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量产体制,该系列产品的闸极耐压(闸极-源极间额定电压)高达8V,非常适用于基地台、数据中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路。 EcoGaN首波产品 GNE10xxTB系列?有助基地台和数据中心实现低功耗和小型化一般来说,GaN组件具有优异的低导通电阻和高速开关性能,有助降低各种电源功耗和实现外围组件小型化。但其闸极耐压很低,因此在开关工作时的组件可靠性方面尚存在课题。针对该课题,RO
  • 关键字:SiCGaNROHM

罗姆SiC评估板测评:快充测试

  • 一、测试工装准备1、P02SCT3040KR-EVK-001测试板2、电压源3、示波器4、负载仪二、测试项目进行1、安装 SIC后的空载波形SiC安装空载波形空板,空载GS 为100hz 25V 信号2、DCDC 在线测试1)空载测试驱动空载输出12V,gs驱动为200hz总宽度3.6uS的锥形信号2)加载 24转55V 2A dcdc驱动信号波形如下:带载 6.6k 15V驱动信号单脉冲宽度,3uS左右总结由于轻负载,温度始终未超过50度。开关速度方面优于硅基产品,以后有对应设备
  • 关键字:SiC碳化硅MOSFETROHM

罗姆SiC评估板测评:射频热凝控制仪测试

  • 测试设备①直流电源由于手上没有高电压的直流电源,只能使用一般的电源,且手上只有一个低压直流稳压源,所以这稳压电源既用于给开发板电源供电,又用于半桥母线电源。②电子负载半桥电源电源的输出负载,可恒流或者恒压或者恒负载,测试电源的带载能力非常好用。③信号发生器产生不同频率的可调制的方波信号,用于MOS管的驱动④示波器观察驱动信号、输出信号、MOS管的波形⑤万用表测量各测试点的电压⑥温度巡检仪测量带载后MOS管的温度测试拓扑将说明书中电路按照上述描述修改:两个直流电源换成CBB电容,在Hvdc母线上加上12V电
  • 关键字:SiC碳化硅MOSFETROHM

罗姆SiC评估板测评:基于碲化镉弱光发电玻璃的高效功率变换技术研究

  • 感谢ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001评估板,有幸参与评估板的测试。拿到评估板的第一感觉就是扎实,评估板四层PCB的板子厚度达到了30mm;高压区域也有明显的标识。
  • 关键字:SiC碳化硅MOSFETROHM

SiC MOSFET的桥式结构解析

  • 本文将对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍。
  • 关键字:SiC碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET晶体管的特征

  • 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。
  • 关键字:SiC碳化硅MOSFET

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

  • 本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。
  • 关键字:SiC碳化硅SBD

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

  • 反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数,所以不仅要比较trr的数值,还要理解其波形和温度特性,这样有助于有效使用二极管。
  • 关键字:SiC碳化硅SBD

SiC肖特基势垒二极管的特征,及与Si二极管的比较

  • 继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。
  • 关键字:碳化硅SiCSBD肖基特二极管

SiC功率元器件的开发背景和优点

  • SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
  • 关键字:SiC碳化硅

什么是碳化硅?SiC的特性和特征

  • 碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。本文来了解一下它的物理特性和特征。
  • 关键字:SiC碳化硅

ST先进SiC牵引电机逆变器解决方案

  • 意法半导体(ST)作为全球领先的汽车半导体供应商之一,多年前就开始布局新能源汽车领域,在2019年正式成立新能源车技术创新中心,推出了SiC牵引电机逆变器的整体解决方案。该方案按照功能安全IS026262标准流程开发,满足ASIL D等级。基于AutoSAR的软件架构和模型化的软件算法,为客户前期方案评估和后续开发提供了便利,大大缩短了整个研发周期。
  • 关键字:SiC碳化硅牵引逆变器

ST第三代碳化硅技术问世 瞄准汽车与工业市场应用

  • 电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散组件产品部(ADG)执行副总裁暨功率晶体管事业部总经理Edoardo MERLI说明,从图二可以看到由于全球能源需求正在不断成长,我们必须控制碳排放,并将气温上升控制在1.5度以下,减排对此非常重要,但要实现这些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST对此也有制定一些具体的目标。 图二图三显示的是一些关于如何利用电力科技实现各种节能目标的具体数据,图中是对全球电力消耗状况的统计。仅就工业领域来说,如果能将电力利用效率提升1%,
  • 关键字:ST碳化硅汽车工业SiC

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