佳能在 10 月 13 日宣布，正式推出纳米压印半导体制造设备。对于 2004 年就开始探索纳米压印技术的佳能来说，新设备的推出无疑是向前迈出了一大步。佳能推出的这个设备型号是 FPA-1200NZ2C，目前可以实现最小线宽 14nm 的图案化，相当于生产目前最先进的逻辑半导体所需的 5 纳米节点。佳能表示当天开始接受订单，目前已经向东芝供货。半导体行业可谓是「苦光刻机久已」，纳米压印设备的到来，让期盼已久的半导体迎来一线曙光。那么什么是纳米压印技术？这种技术距离真的能够取代光刻机吗？纳米压印走向台前想要
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纳米压印 EUV 光刻机
光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。想要了解光刻技术对半导体供需稳定将会产生什么样的影响，首先要了解的是大家经常听到的 14 纳米 DRAM、4 纳米应用处理器等用语，要先说明纳米是什么意
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EUV
近日，英特尔宣布已开始采用极紫外光刻（EUV）技术大规模量产（HVM）Intel 4制程节点。据英特尔中国官微获悉，近日，英特尔宣布已开始采用极紫外光刻（EUV）技术大规模量产（HVM）Intel 4制程节点。据悉，作为英特尔首个采用极紫外光刻技术生产的制程节点，Intel 4与先前的节点相比，在性能、能效和晶体管密度方面均实现了显著提升。极紫外光刻技术正在驱动着算力需求最高的应用，如AI、先进移动网络、自动驾驶及新型数据中心和云应用。英特尔“四年五个制程节点”计划正在顺利推进中。目前，Intel 7和I
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英特尔 EUV Intel4
俄罗斯企图打破艾司摩尔（ASML）先进半导体设备独占地位！俄媒消息指出，俄罗斯号称开发出可取代曝光机的芯片制造工具，甚至发下豪语，将于2028年研发出可生产7纳米芯片的曝光机，还可击败ASML同类产品。俄国目前普遍使用20年前的65纳米制程，正在兴建28纳米晶圆厂。俄罗斯国际新闻通讯社（俄新社）报导，圣彼得堡理工大学研发出一种「国产曝光复合体」，可用于蚀刻生产无掩模芯片，将有助于解决俄罗斯在微电子领域的技术主权问题。科学家表示，这款芯片制造设备成本为500万卢布（约台币161万元），而另一种工具的成本未知
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俄罗斯 7纳米 EUV
DIGITAL-得益于ASML的芯片机，英特尔在爱尔兰的尖端技术生产点燃了欧洲革命。在英特尔位于爱尔兰的最新制造工厂Fab 34的洁净室里。©英特尔公司 英特尔在技术领域掀起了波澜，在爱尔兰推出了英特尔4技术的大批量生产，引发了一场欧洲革命。这标志着极紫外光刻机（EUV）首次用于欧洲大规模生产。此举巩固了英特尔对快节奏生产战略的承诺，并提升了欧洲的半导体制造能力。 这家科技巨头在爱尔兰、德国和波兰的投资正在推动整个欧洲大陆的尖端价值链。英特尔对可持续发展的执着也体现在其爱尔兰气候行动计
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英特尔，EUV，ASML
美国政府计划修改对半导体技术对中国的出口限制。此举旨在加强对芯片制造中使用的工具的控制，包括人工智能（AI）中使用的芯片。这些法规将与荷兰和日本最近的法规保持一致，将限制使用光刻设备等芯片制造工具，并旨在弥补人工智能处理芯片出口限制中的一些漏洞。 这一法规的更新是在首次实施出口限制近一年后才开始的。一些报告显示，美国商务部一直在努力更新这些法规。据称，美国提前向中国表明了即将改变限制措施，以避免华盛顿和北京之间关系的任何潜在关系。 加强对芯片制造工具的限制 荷兰政府也对出口限
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AI DUV EUV
新型极紫外光刻胶材料是不断增强半导体技术的重要基石。
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EUV
ASML 即将推出 NA 为 0.55，分辨率达到 8nm 的 EUV 设备。
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ASML EUV 台积电
IT之家 8 月 22 日消息，法拉第未来在最新的季度报告中称，其亏损有所缩小，并表示已经进入创收阶段。该公司在截至 6 月 30 日的第二季度的亏损为 1.249 亿美元（IT之家备注：当前约 9.13 亿元人民币），即每股 10 美分，而去年同期的亏损为 1.417 亿美元，即每股 44 美分。法拉第未来在本季度没有报告任何收入。总运营费用从 1.375 亿美元降至 4,940 万美元，主要是由于研发和管理费用的减少。法拉第未来在给投资者的信中表示，公司计划在未来几个月内将其制造团队扩大两倍
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台积电 EUV
据日本媒体报导，光刻机设备龙头阿斯麦（ASML）执行副总裁Christophe Fouquet近日在比利时imec年度盛会ITF World 2023表示，半导体产业需要2030年开发数值孔径0.75的超高NA EUV光刻技术，满足半导体发展。Christophe Fouquet表示，自2010年以来EUV技术越来越成熟，半导体制程微缩至2020年前后三年，以超过50%幅度前进，不过速度可能会在2030年放缓。故ASML计划年底前发表首台商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光设备（原型制作），
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ASML NA EUV 光刻设备
对于半导体行业而言，光刻技术和设备发挥着基础性作用，是必不可少的。所谓光刻，就是将设计好的图形从掩模版转印到晶圆表面的光刻胶上所使用的技术。光刻技术最先应用于印刷工业，之后长期用于制造印刷电路板（PCB），1950 年代，随着半导体技术的兴起，光刻技术开始用于制造晶体管和集成电路（IC）。目前，光刻是 IC 制造过程中最基础，也是最重要的技术。在半导体产业发展史上，光刻技术的发展经历了多个阶段，接触/接近式光刻、光学投影光刻、分步（重复）投影光刻出现时间较早，集成电路生产主要采用扫描式光刻、浸没式扫描光刻
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EUV 光刻技术
6月7日消息，英特尔今年下半年将会推出14代酷睿Meteor Lake处理器，首发Intel 4工艺，这是该公司首款EUV工艺，而且还会用上全新3D封装工艺，处理器变化非常大。在迎接4nm EUV的同时，英特尔也在加快清理遗产，2020年发布的11代酷睿Tiger Lake处理器现在也进入了退役阶段，这一批主要是中低端的酷睿i7/i5/i3及赛扬系列，包括U系列及H35系列，最高端的就是酷睿i7-1165G7。与之一同退役的还有配套的500系芯片组，包括RM590E，HM570E和QM580E系列。这些产
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EUV 英特尔 酷睿
IT之家 5 月 26 日消息，据韩媒 Aju News 报道，三星计划自 2023 年第三季度开始，对韩国华城园区 S3 工厂减少至少 10% 的晶圆投片量。▲ 图源：三星报道称，三星半导体将在第三季度开始，对华城园区 S3 工厂进行减产作业。S3 工厂是三星半导体于 2018 年建成投产的 12 英寸生产线，目前主要生产 10nm 至 7nm 产品，也是三星半导体 EUV 先进工艺的主力生产厂之一，三星为其部署了多台 ASML 的 NXE3400 EUV 光刻机。Aju News
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三星 EUV
5月17日消息，原本已经落后的日本半导体制造行业近年来加快了追赶速度，去年8月份索尼、丰田等8家企业出资成立了Rapidus，计划2025年试产2nm工艺，而且很快就筹备了EUV光刻机。日本当前的逻辑工艺还在28nm以上，但是Rapidus公司选择跳过中间的工艺，直接搞2nm工艺，而5nm以下的工艺都离不开EUV光刻机，不论研发还是制造都要先买设备。Rapidus社长小池淳义日前在采访中透露，他们已经完成了1台EUV光刻机的筹备，不过具体的型号及进度没有说明，不确定是ASML的哪款EUV光刻机，何时安装、
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日本 EUV 光刻机
在如今这个信息时代，如果说我们的世界是由芯片堆积起来的高楼大厦，那么芯片制造，则是这里面高楼的地基，而谈到芯片制造各位读者自然就能想到光刻机，没错，作为人类商业化机器的工程奇迹，光刻机自然是量产高性能芯片的必要设备。特别是随着这几年中美贸易战的加剧，光刻机这种大部分可能一生都不会见到的机器一下子成了妇孺皆知的存在，那么光刻机是如何工作的呢？它是如何在方寸之间的芯片上雕刻出上百亿的晶体管的呢？本篇文章就着重给大家介绍一下目前最先进，也是我国被“卡脖子”的EUV（极紫外）光刻机。 &
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ASML EUV光刻机 芯片 EUV
euv 极紫外光刻机介绍
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