flash文章进入flash技术社区
群联3月营收年增73%，创历史单月新高纪录
- 近日，存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果，合并营收为新台币67.75亿元，年成长达73%，刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元，年成长达64%，为历史同期次高。群联表示，2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%，其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%，刷新历史单月新高。此外，全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率（Bit Growth Rate）也达80%，刷新历史同期新高，显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
- 关键字：群联SSD固态硬盘NAND Flash
3D NAND，1000层竞争加速
- 据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
- 关键字：NAND Flash存储芯片铠侠
第二季NAND Flash合约价季涨13~18%，Enterprise SSD涨幅最高
- TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面，中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源，由于部分供应商已降低供应此类别产品，中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案，助益中国模组厂技术进一步升级及
- 关键字：TrendForceNAND FlashEnterprise SSD
西部数据NAND Flash业务拆分最新进展，新任CEO揭晓
- 月5日，西部数据宣布，在NAND Flash业务拆分后，将保留原名，专注经营核心HDD业务，并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时，将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称，现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO，继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司，出任新公司执行长。图片来源：西部数据西部数据与铠侠合并进展如何？据悉，自2021年以来，西部数据及
- 关键字：闪存芯片NAND Flash西部数据
浅谈因电迁移引发的半导体失效
- 前言半导体产品老化是一个自然现象，在电子应用中，基于环境、自然等因素，半导体在经过一段时间连续工作之后，其功能会逐渐丧失，这被称为功能失效。半导体功能失效主要包括：腐蚀、载流子注入、电迁移等。其中，电迁移引发的失效机理最为突出。技术型授权代理商Excelpoint世健的工程师Wolfe Yu在此对这一现象进行了分析。 1、 背景从20世纪初期第一个电子管诞生以来，电子产品与人类的联系越来越紧密，特别是进入21世纪以来，随着集成电路的飞速发展，人们对电子产品的需求也变得愈加丰富。随着电子
- 关键字：电迁移半导体失效世健MicrochipFlash FPGA
一季度 NAND Flash合约价预计上涨15%-20%
- 供应商为了尽量减少损失，正在推高 NAND Flash 价格。
- 关键字：NAND Flash
闪存芯片将掀起新一轮涨价潮
- 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 为代表的存储器报价逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈现出明显的回暖态势，供应链人士透露，2024 年 1 月，预计 NOR Flash 价格将上涨 5%，并保持上涨态势，到第二季度，涨幅将达到 10%。过去几年，随着整个半导体市场的变化，NOR Flash 的供需和价格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市场需求较为疲软，而供货商的产能却在持续提升，导致当年的价格进入下行周期。经过一年的低迷期后，NOR Flash 价格在 2
- 关键字：NOR Flash
预估2024年第一季NAND Flash合约价平均季涨幅15~20%
- 据TrendForce集邦咨询研究显示，尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势，但为避免缺货，买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位，而供应商为减少亏损，对于推高价格势在必行，预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15~20%。值得注意的是，NAND Flash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅，但由于短期内涨幅过高，需求脚步却跟不上，后续价格上涨仍需仰赖Enterprise SSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一，随着部份供应商产能利用率提早拉升
- 关键字：NAND FlashTrendForce
DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元（IT之家备注：当前约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（当前约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。报道中指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
- 关键字：存储DRAMNAND Flash
集邦咨询称 2024Q1 手机 DRAM、eMMC / UFS 均价环比增长 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨询近日发布报告，预估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）环比增长 18-23%，而且不排除进一步拉高的情况。集邦咨询表示 2024 年第 1 季中国智能手机 OEM 的生产规划依然稳健，由于存储器价格涨势明确，带动买方积极扩大购货需求，以建设安全且相对低价的库存水位。集邦咨询认为买卖双方库存降低，加上原厂减产效应作用，这两大因素促成这一波智能手机存储器价格的强劲涨势。集邦咨询认为明年第 1 季
- 关键字：存储DRAMNAND Flash
明年半导体暴增20%，哪些赛道市场回暖？
- 今年的半导体可谓寒风瑟瑟，市场下滑的消息从年头传到年尾，半导体企业也疲于应对萧瑟的市场环境，不断传出减产、亏损的消息。熬过冬就是春，最近的半导体市场总算是迎来了一些好消息。IDC 最新的预测，认为半导体市场已经触底，明年开始半导体将会加速恢复增长。在它的预测中，2023 年全球半导体市场收入从 5188 亿美元上调至 5265 亿美元，2024 年收入预期也从 6259 亿美元上调至 6328 亿美元。到明年，全球半导体收入将同比增长 20.2%。IDC 全球半导体供应链技术情报研究经理 Rudy Tor
- 关键字：NAND flash射频前端CPU模拟芯片
市况好转 内存厂Q3获利嗨
- NAND Flash现货价于8月中旬反弹，DRAM价格也在9月开始回升，内存市况确立好转，带动内存族群获利能力普遍呈现攀升。观察第三季内存族群财报，内存制造大厂包括南亚科、旺宏及华邦电仍呈小幅亏损；内存模块厂创见、威刚、广颖、品安、宇瞻单季每股税后纯益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群联单季EPS更分别有3、4元以上亮眼成绩。另从毛利率、营利率及税后纯益率三大财务指标来看，第三季财报数字呈现「三率三升」的内存厂商，则有创见、威刚、十铨、广颖、宜鼎、品安，财务成绩表现亮眼。此外，威刚14日公告10月自结财务数
- 关键字：内存NAND FlashDRAM
兆易创新车规闪存产品成功应用于悬架控制器，在奇瑞多款车型实现量产
- 兆易创新GigaDevice宣布，搭载了兆易创新GD25F128F车规级SPI NOR Flash的明然科技国产化主动悬架控制器（CDC）出货量已超数万台，并在奇瑞瑞虎9和星途瑶光等车型上量产。在汽车底盘悬架系统等安全性要求较高的场景中稳定运行，标志着兆易创新车规级SPI NOR Flash的可靠性得到进一步验证。悬架是车架（或车身）与车轿（或车轮）之间的传力连接装置，分为传统被动式、半主动式和主动式三类，而主动式悬架系统能根据车辆的运动状态和路面情况自适应调节减振器阻尼力，使其更好地适用于当前路段，悬架
- 关键字：兆易创新悬架控制器SPI NOR Flash
预估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合约价均上涨
- 据TrendForce集邦咨询最新研究显示，第四季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10~15%；由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为本次的领涨项目。季涨幅扩大包括几个原因，供应方面：三星扩大减产、美光祭出逾20%的涨幅等，持续奠定同业涨价信心的基础。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受传统旺季带动，华为Mate
- 关键字：Mobile DRAMNAND FlashTrendForce
flash介绍
闪存（Flash ROM）： 是一种电擦除非易失型存储器，由浮栅型场效应管构成，写入时，利用热电子注入，使浮栅带电；擦除时，则利用高压下的隧道效应，使浮栅失去电子。 FLASH闪存是半导体技术，内部是相对静态的，体积小，抗震性很高（便于携带）。加上半导体技术发展很快，价格下降也很快，这是目前的MP3大多数是用FLASH闪存的原因。 [
查看详细]
flash相关帖子
flash资料下载
flash专栏文章
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473