大家好，我是蜗牛兄。本文主要介绍DDR常用的三种频率，以及梳理内存频率是怎样提升的。可能这篇文章对于电路设计用处不大，但多了解一点总是没坏处的。图1 文章框图通过下面这张表，我们一起来了解一下内存DDR的频率。图2 内存频率表格从表中可以看出内存有三种频率，分别是核心频率，工作频率和等效频率。而我们平时所说的频率就是等效频率。从表格中我们可以得出以下信息：1、核心频率，指真正读写内存颗粒的频率，它是固定不变的，一般是133，166，和200MHz三类，这个频率提升很难。2、工作频率，DDR工作频率是颗粒核
关键字：内存 DDR频率
全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一里程碑式进展持续保持行业领先地位，并且凭借 HBM3E 的超凡性能和能效为人工智能（AI）解决方案赋能。HBM3E：推动人工智能革命随着人工智能需求的持续激增，内存解决方案对于满足工作负载需求
关键字：美光 存储 内存
AI服务器浪潮席卷全球，带动AI加速芯片需求。DRAM关键性产品HBM异军突起，成为了半导体下行周期中逆势增长的风景线。业界认为，HBM是加速未来AI技术发展的关键科技之一。近期，HBM市场动静不断。先是SK海力士、美光科技存储两大厂释出2024年HBM产能售罄。与此同时，HBM技术再突破、大客户发生变动、被划进国家战略技术之一...一时间全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全称为High Bandwidth Memory），是高带宽存储器，是属于图形DDR内存的一种。从技术原理上讲，HB
关键字：三星 半导体存储器 HBM
2024 年 3 月 1 日，中国上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 移动闪存助力荣耀最新款旗舰智能手机荣耀 Magic6 Pro 提供端侧人工智能体验。该手机支持 70 亿参数的大语言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），开创了端侧生成式人工智能新时代。荣耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大语言模型为核心，在美光内存和存储的加持下，实现了升级版预测性和
关键字：美光 内存 存储 荣耀 Magic6 Pro 智能手机 LPDDR5X UFS 4.0
继此前美光宣布 HBM 产能全部售罄之后，SK 海力士今年的 HBM 产能也已经全部售罄。
关键字：HBM
近期，SK海力士副社长Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也对外透露，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。生成式AI火热发展，推动了云端高性能AI芯片对于高带宽内存（HBM）的旺盛需求，存储大厂积极瞄准HBM扩产。其中，三星电子从2023年四季度开始扩大HBM3的供应。此前2023年四季度三星内部消息显示，已经向客户提供了下一代HBM3E的8层堆叠样品，并计划在今年上半年开始量产。到下半年，其占比预计将
关键字：存储 HBM SK海力士 美光科技
内存技术作为计算机系统的核心组成部分，其性能的提升对于整体计算能力的提升至关重要。在这个背景下，高带宽内存（HBM）以其卓越的性能表现，正逐渐在内存技术领域崭露头角，成为推动计算领域进入全新时代的关键力量。相较于传统的动态随机存取内存（DRAM），HBM 的性能优势显而易见。远远超越 DDRDDR 是一种常见的计算机内存类型，最早是为了提高内存传输速率而设计的。它采用了双倍数据传输技术，即在每个时钟周期内可以传输两次数据，从而提高了数据传输速率。目前最常见的 DDR 版本是 DDR4、DDR5，但在过去还
关键字：HBM
最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度财报，2023 年第四季度实现扭亏为盈，当季营业利润 3460 亿韩元（约合 2.6 亿美元），而上年同期营业亏损 1.91 万亿韩元。这意味着，SK 海力士成功摆脱了从 2022 年第四季度以来一直持续的营业亏损情况。相比之下，同为韩国半导体巨头的三星，业绩却不尽如人意。数据显示，三星电子去年销售额为 258.16 万亿韩元（1.4 万亿元人民币），同比下滑 14.58%。受半导体部门业绩不佳影响，三星电子全年营业利润时隔 15 年再次跌至 10 万亿韩元（544
关键字：SK海力士 HBM
冯·诺依曼架构将继续存在，但人工智能需要新的架构，3D 结构需要新的测试工具。
关键字：内存 HBM
三星称其已经在美国硅谷开设了一个新的内存研发（R&D）机构，专注于下一代3D DRAM芯片的开发。该机构将在设备解决方案部门美国分部（DSA）的硅谷总部之下运营，由三星设备解决方案部门首席技术官、半导体研发机构的主管Song Jae-hyeok领导。全球最大的DRAM制造商自1993年市场份额超过东芝以来，三星在随后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市场份额要明显高于其他厂商，但仍需要不断开发新的技术、新的产品，以保持他们在这一领域的优势。三星去年9月推出了业界首款且容量最高的32 Gb
关键字：三星 内存 DRAM 芯片 美光
1. 电源 DDR的电源可以分为三类：a主电源VDD和VDDQ，主电源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是给IO buffer供电的电源，VDD是给但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一个电源使用。有的芯片还有VDDL，是给DLL供电的，也和VDD使用同一电源即可。电源设计时，需要考虑电压，电流是否满足要求，电源的上电顺序和电源的上电时间，单调性等。电源电压的要求一般在±5%以内。电流需要根据使用的不同芯片，及芯片个数等进行计算。由于DDR的电流一般都比较大，所以PCB设计时，如果有一个完整的电源平
关键字：DDR 内存
华邦电子新年展望——技术发展不可阻挡，内存市场趋稳求进
关键字：华邦电子 内存
内存产业复苏明确，包括旺宏、南亚科、创见、鑫创、广颖、钰创、商丞等七家公司，去年12月营收呈现月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合约价续涨。然全球第二大内存生产商SK海力士计划阶段性扩产，为内存市况投下变量。海力士透露，公司可能于第一季缩小DRAM减产幅度，NAND Flash生产策略可能视情况在第二季或第三季跟着调整。针对内存大厂有意扩产，国内存储器厂商则认为，海力士扩厂应集中在DDR5和HBM（高带宽内存）产品为主，因为台湾目前产品主攻DDR4，不致影响产品报价。TrendForc
关键字：DDR5 HBM 内存 TrendForce
在2024年即将到来之际，多家机构给出预测，认定生成式AI将成为2024年的增长重点之一。回顾2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI热潮，不仅仅是下游市场的AI应用，这股大火一直烧到了上游芯片领域，根据权威机构预测，2023年和2024年，AI服务器将有38%左右的增长空间。随着GPU等AI芯片走向高峰的同时，也极大带动了市场对新一代内存芯片HBM（高带宽内存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我们先来了解一下什么是HBM。HBM全称为High Bandwich Me
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