- 近来谣言越来越厉，市场盛传英特尔将于未来2周里发布基于34纳米制程NAND芯片的固态硬盘。之前有报道称英特尔Chipzilla芯片实验室将于去年Q4发布新34纳米闪存，不过时间表早已大大推后。固态硬盘出现的时间不久，其成本高，容量有限，有时候人们甚至怀疑其可靠性。如果新的34纳米制程NAND闪存推出，固态硬盘的价格将大大降低，容量也将达到320GB左右。 固态硬盘的存储单元分为MLC(Multi-Level Cell，多层单元)和SLC(Single Layer Cell，单层单元)两种。MLC
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- 利用50-40nm的工艺制程节点，NAND闪存密度已达到16 GB/D及超过2B/C多级单元（MLC）技术。尽管位元密度强劲增长，但是NAND闪存的编译能力一直停留在10MB/S范围内。由于数字内容需要的增长，公司更加重视改进NAND闪存装置的编译和读取性能，使其比特更高和性能更快，以满足消费者的需要。再加上存储产品价格急剧下降，高比特高性能已成为各个公司努力追求的方向。 2008年国际固态电路会议的论文和2007
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- 据国外媒体报道，本周四美光科技宣布，它与英特尔的合资企业IM Flash科技公司已经开发出处于行业领先水平的50纳米MLC(多层单元)NAND闪存芯片样品。 美光称，与SLC(单层单元)闪存组件相比，新的MLC 闪存组件体积更小，能量效益更高，能够更理想的使用在目前的计算和消费电子产品中。MLC 闪存组件的密度为16GB，而SLC闪存组件的密度仅4GB。 英特尔NAND闪存部门副总裁兼总经理Randy Wilhelm表示，我们与美光的合资公司提前开发出了行业中领先水
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