- 宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管(EPC2101)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管而成为单个器件，可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101最理想的应用领域是高频直流-直流转换。 在EPC2101半桥式元件内，每一个器件的额定电压是60 V。 上面的场效应晶体管的导通电阻(RDS(on))典型值是8.4 mΩ，
- 关键字：宜普电源功率晶体管EPC2101
- 意法半导体的13.6MHz RF功率晶体管STAC250V2-500E具有市场领先的稳定性和高功率密度 (power density) 。采用热效率 (thermally efficient) 极高的微型封装，可用于大输出功率的E级工业电源。 STAC250V2-500E的负载失匹率 (load-mismatch) 为20:1，处于市场最高水平，最大安全功率高达600W。与采用传统陶瓷封装的解决方案相比，0.55x1.35吋STAC® 气室封装 (air-cavity package)
- 关键字：意法半导体功率晶体管STAC250V2-500E
- 宜普电源转换公司可帮助参赛者于谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛通过采用氮化镓(eGaN®)功率晶体管设计出超小型功率逆变器以胜出该挑战赛。 宜普电源转换公司宣布全力支持参加谷歌与IEEE合办的「Little Box Challenge」公开赛的工程师创建更小体积的功率逆变器并赢取100万美元奖金。由于氮化镓场效应晶体管 (eGaN®FET)具有可处理高功率功能、超快开关速度及小尺寸等优势，因此它是功率逆变器的理想晶体管。 「Little
- 关键字：宜普功率逆变器功率晶体管
- 致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 扩大其基于碳化硅衬底氮化镓(GaN on SiC)技术的射频(RF)晶体管系列，推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500，新器件瞄准大功率空中交通管制机场监视雷达(ASR)应用，ASR用于监视和控制在机场大约100英里范围的飞机。 在2.7 至2.9 GHz频段上，2729GN-500晶体管具有无与伦比的500
- 关键字：Microsemi功率晶体管
- 摘要：为了保证在高温条件下，正确使用高频硅PNP晶体管3CG120，文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170～340℃温度范围内序进应力加速寿命试验，发现在170～240℃，240～2
- 关键字：PNP3CG120CG
- 随着油电混合车和电动车技术的演进，逆变器驱动技术已经进入汽车领域，从空调机和加热系统等低功率应用，一直到驱动和再生制动系统等高功率应用，所有这些系统的共通点是需要通过保护逆变器设计中的功率开关晶体管来
- 关键字：保护汽车逆变器功率晶体管
- 随着电子技术的不断发展和新型元器件的问世，开关电源以其体积小、重量轻、效率高、对电网电压适应范围...
- 关键字：功率晶体管二次击穿防护
- 按IC Insight报道,在2009年下降16%之后, 全球功率晶体管销售额在2010年有望增长31%,达到创记录的109,6亿美元。自从功率晶体管在2000年达到创记录的增长32%后,此次的31%的增长也是相当亮丽。 IC Insight预测, 功率晶体管市场在2014年将达到145亿美元, 而2009年为84亿美元, 表示年均增长率CAGR达12%,并预计未来5年内出货量的CAGR达到14%, 从2009年的371亿个增加到713亿个。 在电池操作的移动电子产品增长以及全球更强调电子
- 关键字：电源功率晶体管电池
- 在中国中，电源|稳压器管理IC仍旧占据市场首要位置，（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）位于第二位，大功率晶体管位于第三位，此三大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT（绝缘栅双极晶体管）销售额虽然不大，但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多，其市场销售额保持着较快的增长，是中国功率器件市场中的新兴产品。 从应用领域上看，消费电子领域销售额位列第一位，工业控制居于第二，计算机领域销售额位于第三位。这三大领域销售额占整体市场的68.9%，是功率器件的重要应用市场。同时，凭借笔记本电脑
- 关键字：MOSFET功率晶体管消费电子ICLDO液晶电视
- 英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在近期举行的IEEE MTT-S国际微波研讨会上，发布了专门面向700 MHz频段无线基础设施应用的全新射频功率晶体管系列。该频段在美国将用于承载4G（第四代）蜂窝、移动电视广播和其他移动宽带服务，其中包括LTE（长期演进）和下一代无线网络标准。这一全新系列产品拓展了英飞凌的射频功率晶体管组合，包括一个55 W驱动器及两个输出级晶体管（分别为170 W和240 W），在700 MHz频段提供业界最高水平的峰值功率。 基于英飞凌先进的LDMOS （横向
- 关键字：英飞凌射频功率晶体管放大器
- 恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶体管，这是恩智浦应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案，与上一代产品相比，功率密度提高了20%，功率效率增长了两个百分点，而Rth热阻则降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶体管的最初原型将于2008年美国乔治亚州亚特兰大举办的IEEE MTT-S国际微波研讨会期间进行展示。 恩智浦R
- 关键字：恩智浦LDMOS基站功率晶体管
- 低压差线性稳压器(LDO)长期以来被认为是低性能的廉价器件，尤其是在与相对复杂的开关稳压器相比时更是这样，不过，性能提高已经给简单和不显眼的LDO 注入了新的活力。电源设计师正在从LDO性能的以下改进中获益。
- 关键字：模拟技术电源技术NPNPNPLDO模拟IC电源
pnp 功率晶体管介绍
您好，目前还没有人创建词条pnp 功率晶体管!
欢迎您创建该词条，阐述对pnp 功率晶体管的理解，并与今后在此搜索pnp 功率晶体管的朋友们分享。
创建词条
关于我们-
广告服务-
企业会员服务-
网站地图-
联系我们-
征稿-
友情链接-
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
