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Hynix新NAND快闪记忆体制造厂在清州投产

  •   据国外媒体报道,全球第二大电脑记忆体晶片制造商Hynix周四表示,其在韩国建成的新NAND快闪记忆体制造工厂正式投产。   据国外媒体报道,Hynix表示,该新厂位于清州,月产量可达到30万件,并有望于在数月后提高到50万件。   Hynix在清州还建有另外两个芯片制造厂,目前正在运作当中。   Hynix的首席执行官Kim Jong-gap表示,公司计划加强产品在价格方面的竞争力,并在接下来的研发道路中保持高水准的投资。
  • 关键字:NANDHynix快闪记忆体

台湾工研院建固态硬盘认证平台

  •   固态硬盘(SSD)借低价电脑热潮迅速兴起,英特尔、三星等国际大厂结合NAND闪存芯片制造和技术优势走在前列,台系阵营为了急起直追,由当地工业情报机构工研院、测试厂百佳泰和台厂合力发起的“SSD联盟”(SSD Alliance)合作建立了一套测试认证平台,希望藉此机会把SSD硬件测试平台建立起来,为台湾厂商台厂抢占固态硬盘市场先机。   工研院电光所詹益仁表示,英特尔将推出容量高达80GB的SSD产品,2009年还将推出100GB产品,其他包括三星电子、东芝等厂商也都在积极介入
  • 关键字:固态硬盘NAND闪存芯片SSD

英特尔笔记本专用SSD硬盘30天内上市

  •   英特尔NAND产品事业部今天发布了高性能固态驱动器(SSD)的产品线规划和发布时间表。固态驱动器适用于移动与台式机客户端、企业级服务器、存储设备和工作站。这一系列产品称作英特尔高性能SATA固态驱动器产品线,是基于固态闪存的数据存储设备,用于存储计算机中的数据,可模拟并替代某些计算机中的硬盘驱动器。   与传统的硬盘驱动器(HDD)和目前市场上的固态驱动器相比,英特尔的全新固态驱动器具有更重要的优势,包括更快速的整体系统响应能力和计算机开/关启动时间,卓越的耐用性和可靠性,更长的电池寿命和更低的企业
  • 关键字:英特尔NAND固态驱动器SSDHDD

NAND闪存市场价格一路下滑 降幅超10%

  •   来自闪存制造业界的消息称,预计在八月份晚期,当前闪存芯片市场上的主流产品——8GB和16GB NAND闪存芯片的合同价格将双双下滑10%.   NAND闪存芯片多用于当前的消费类产品上,包括苹果的iPhone手机、iPod音乐播放器以及数码相机等产品上。尽管每年第三季度为消费类产品的传统销售旺季,但今年却无法止住NAND闪存芯片价格下滑步伐。   三星电子以及SanDisk都对未来的NAND闪存市场持悲观态度,由于NAND闪存价格一路下滑,从而引发他们失去对该市场信心。与此
  • 关键字:闪存NAND芯片三星

NAND闪存的下一个热点:性能

  •   利用50-40nm的工艺制程节点,NAND闪存密度已达到16 GB/D及超过2B/C多级单元(MLC)技术。尽管位元密度强劲增长,但是NAND闪存的编译能力一直停留在10MB/S范围内。由于数字内容需要的增长,公司更加重视改进NAND闪存装置的编译和读取性能,使其比特更高和性能更快,以满足消费者的需要。再加上存储产品价格急剧下降,高比特高性能已成为各个公司努力追求的方向。 2008年国际固态电路会议的论文和2007
  • 关键字:NAND栅极感应DDRMLCMLC

三星上半年闪存产品销量居全球第一

  •   新华网首尔8月20日电 韩国三星电子公司19日宣布,公司上半年闪存产品销量位列全球第一。   三星公司援引市场研究公司iSuppli日前发表的一份报告称,今年1至6月份,三星闪存产品销售额达75.1亿美元,占全球闪存市场的30%。   韩国海力士半导体公司位列第二,全球市场份额为13%,美国米克伦技术公司和日本的尔必达内存公司分列第三、第四位,市场份额分别为8%和7%。   三星的成功主要源自NAND闪存产品的畅销,第二季度该类产品销售额达14.2亿美元,占当季全球NAND闪存销售的42.3%,
  • 关键字:三星闪存NANDDRAM

三星上半年闪存产品销量居全球第一

  •   新华网首尔8月20日电 韩国三星电子公司19日宣布,公司上半年闪存产品销量位列全球第一。   三星公司援引市场研究公司iSuppli日前发表的一份报告称,今年1至6月份,三星闪存产品销售额达75.1亿美元,占全球闪存市场的30%。   韩国海力士半导体公司位列第二,全球市场份额为13%,美国米克伦技术公司和日本的尔必达内存公司分列第三、第四位,市场份额分别为8%和7%。   三星的成功主要源自NAND闪存产品的畅销,第二季度该类产品销售额达14.2亿美元,占当季全球NAND闪存销售的42.3%,
  • 关键字:三星半导体DRAMNAND

东芝发布最大容量嵌入式NAND闪存

  •   东芝近日宣布推出多款最大容量为 32GB的嵌入式NAND闪存模块,这些嵌入式产品应用于移动数码消费产品,包括手机和数码相机,样品将于2008年9月出厂,从第四季度开始量产。随着带有控制器功能的存储器需求不断扩大,东芝已经采取行动使其在这个不断扩大的市场上占领领先地位,东芝还加入更大容量的模块以巩固公司的地位。
  • 关键字:东芝NAND闪存嵌入式

TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI 

  •   TDK 公司日前宣布开发出GBDriver RA8系列NAND闪存控制器LSI,该产品计划于九月份开始销售。   GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC,与2K字节/页和4K字节/页的NAND闪存兼容。该控制器支持单级单元 (SLC) 和多级单元(MLC) NAND 闪存,实现了从128M字节到1 G字节(SLC) 和256M字节到32G字节(MLC)的高速闪存存储容量,因而该控制器适用的应用领域非常广泛。此外,该控制器具有128 针TQPF 封装方式和121 针VF
  • 关键字:TDKNAND闪存控制器LSI

Hynix与Numonyx签5年协议共同开发NAND技术

  •   据国外媒体报道,近日,全球第二大电脑记忆体晶片制造商Hynix表示,已与意法半导体(STMicroelectronics NV)和英特尔的合资公司Numonyx BV签署了一项为期五年的协议,拓展其在快速增长的NAND闪存领域的共同开发项目。   据国外媒体报道,根据协议内容,两家公司将合作扩大NAND产品线,推出新产品和实现技术创新,从而应对未来五年NAND技术所面临的挑战。   根据协议内容,Hynix和Numonyx将共同开发技术项目,联合提供领先的NAND存储技术和产品,并进行资源整合以促
  • 关键字:NAND闪存Hynix意法半导体Numonyx

恒忆与海力士扩大合作 共同推广创新的NAND闪存技术与产品

  •   恒忆(Numonyx)今天宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议,在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战,两家公司将扩大NAND产品线并共同研发未来产品,进行技术创新。   根据新协议,恒忆和海力士将扩大联合开发的范围,共同提供领先的NAND存储器技术和产品,并且整合资源以加快未来NAND技术及解决方案的开发。在应用于手机多芯片封装的移动DRAM领域,双方也将进行合作。   恒忆总裁兼首席执行官Brian Harrison表示:"未来五年,在
  • 关键字:NAND恒忆海力士闪存

微控制器的市场前景及发展趋势

  •   微控制器广泛应用于各种小型电器,随着技术的发展,其不但价格低廉,而且功能越来越强大。由于家用电器、手持式消费电子产品、手持式通信装置和车用电子等领域的市场推动,微控制器的使用量越来越大而且表现出了更新换代的趋势。预计在未来的市场中,低阶应用将会以8位微控制器为主,而高阶应用将会由32位微控制器称霸。当然,也有可能冲出一个比32位微控制器更强大的产品,如果能够控制成本,则32位微控制器将面临很快被淘汰的命运。不过就目前的情形来看,32位微控制器将在市场中活跃一阵子。其市场占有率将会逐渐上升,到2010年
  • 关键字:微控制器半导体微处理器NAND

苹果大量订购NAND芯片:三星预警缺货

  •   据我国台湾省的一家媒体报道称,三星对其客户发出预警,因苹果大量订购NAND闪存芯片,预计这类芯片将在一段时间内缺货。   当地时间本周三,《电子时报》报道称,三星在对其客户发出的预警中表示,苹果最近向三星订购了5000万颗8Gb的NAND闪存芯片,计划用于3G版iPhone上;想必大家都听说此事了。因此三星的其它客户需要等上一段时间后才能收到三星的发货。三星是苹果的固定供应商之一,两家公司在2005年签署了NAND闪存供货合同。   苹果这次订购的NAND闪存芯片总容量相当于5000万GB(8Gb
  • 关键字:三星NAND闪存苹果

五月份全球半导体销售增长7.5%达到218亿美元

  •   【eNet硅谷动力消息】半导体工业协会公布月度报告显示,今年五月份全球半导体的销售收入从去年同期的203亿美元增长了7.5%达到218亿美元。受到全球消费电子产品销售强劲和美国消费性支出好转的推动,五月份半导体销售收入比四月份增长了2.8%,四月份全球半导体销售收入为212亿美元。   数据显示,在半导体销售中,计算机是最大的终端市场。今年前五个月,全球半导体销售收入达到1034亿美元,比去年同期增长了5.3%。   半导体工业协会总裁George Scalise在一份声明中表示,尽管有媒体报告了
  • 关键字:半导体计算机芯片数码相机手机NAND闪存

全球闪存市场达254亿美元 厂商Q4投身30nm制程

  •   据外电报道,NAND Flash(闪存)制造厂制程技术持续不断推进,集邦科技表示,各Flash制造厂自今年第四季起将陆续转进30纳米制程技术。   根据美光预估,今年全球NAND Flash市场可望增长至254亿美元规模,除了目前一般数字影音播放器、UFD(通用串行总线闪存储存驱动器)、记忆卡等应用外,也相当看好移动储存市场的发展潜力。   为降低生产成本,强化竞争力,NAND Flash制造厂持续不断进行制程技术微缩,其中IM Flash阵营已宣示,34纳米制程技术将于今年第四季投产。韩国三星电
  • 关键字:闪存NANDFlash移动储存30纳米

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