东芝今天宣布即将推出搭载世界上首个对应多值技术的大容量NAND闪存(多值NAND)的行业内最大级别128Gb的SSD(Solid State Drive：固态硬盘)产品，主要用于计算机。计划2008年第一季度出货，并同时开始量产。在此之前，东芝将于明年1月7日-10日在美国拉斯维加斯召开的世界最大规模的家电展中亮相该新产品。 目前的SSD，采用高速双值NAND闪存，和HDD相比，高速、体积轻，但也存在容量小、成本高的问题，目前还没有真正普及。因此，搭载可以提高每个器件容量的普及型多值NAND的S
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Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析师Mehdi Hosseini日前表示，“根据三星日前的报告，我们分析2008年上半年DRAM内存市场基础继续恶化，大多数DRAM供应商，尤其韩国之外的厂商2008年资本开支出现大幅削减。” 预计2008年，DRAM领域的资本开支将下滑超过30%，原来预计下降20%。这将导致总体内存资本开支减少10-12%。 在DRAM市场经历了漫长的低迷之后，该市场仍然存在严重的供过于求情况。“这主要由于按容量计
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据市场调研公司ICInsights，2007年IC单位出货量有望增长10%。该公司先前的预测是增长8%。 ICInsights将调高增长率预测归因于以下器件的出货量强劲增长：DRAM(上升49%)、NAND闪存(上升38%)、接口IC(增长60%)、数据转换IC(上升58%)和汽车相关的模拟IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC单位出货量增长率达到10%或者更高水平，将是连续第六年以两位数的速度增长，创下前所未有的强劲增长纪录。 ICInsights认为，
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很多厂商都设计出了未来的闪存技术，但谁能够首先推出产品呢? Spansion表示，其MirrorBit和Ornand闪存芯片的基础是电荷捕获技术，这一技术为闪存产业继续缩小芯片尺寸、提高闪存芯片性能提供了一条途径。 Spansion CEO伯特兰向CNET News.com表示，Spansion已经生产出了采用电荷捕获技术的闪存芯片。Spansion已经启动了一项营销活动，希望向其它制造商许可一些技术。 伯特兰说，三星、东芝、Hynix公开表示对电荷捕获技术有很大的兴趣。我们拥有这一
关键字：闪存 芯片 NAND 存储器
市场调研公司iSuppli日前在声明中表示，第三季度NAND闪存半导体全球销售额增长37%，达到42亿美元。但iSuppli指出，在包括苹果iPod在内的消费电子产品需求刺激下的连续增长势头，本季度可能结束。由于产量增长速度快于需求，本季度NAND的平均销售价格将下降18%。 韩国海力士半导体第三季度增长最快，其NAND销售额比第二季度大增79%，达到8.06亿美元。它的市场份额是19%，在当季全球排名第三。最大的NAND闪存供应商三星电子，市场份额从第二季度的45%降至40%，它出货的闪存数量
关键字：NAND 闪存 DRAM 存储器
固态硬盘明年仍然少见且价格昂贵，但随着其量产，闪存成本的下滑，固态硬盘价格从2009年，2010年开始将开始下降。 DRAM与闪存产品制造商Micron Technology本周公布了固态硬盘发展计划。这种硬盘功能与常规硬盘无异，但与一般硬盘将数据存储在磁碟上不同，固态硬盘将数据保存在NAND内存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一样。 Micron将从明年第一季度开始大规模生产固态硬盘。第一批产品为32GB或64GB型号。虽然容量是现在笔记本电脑硬盘平均容量的一半，但Micron内存
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近期，三星和海力士(Hynix)面向台湾的NAND闪存芯片供货量有所下降，另一方面，英特尔和Micron的合资公司IM则推出了更具竞争力的价格并逐步抢占市场，许多分析人士认为未来闪存市场或许将会出现另一番局面。 三星和海力士减少向台湾内存厂商的供货量，是为了满足苹果这类国际大客户的供货需求。东芝也限制了供应量，唯独没有对群联电子(Phison Electronics)采取限制措施，这使得不少台湾企业开始考虑降低对大厂商产品的依赖。 一些台湾内存厂商指出，它们都不愿意继续向三星和海力士采购，
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1 引言 随着嵌入式系统广泛应用，嵌入式系统中的数据存储和数据管理则成为设计人员考虑的重点。在许多现场不可达数据采集应用中采用分布式数据存储，必然带来数据管理的不便，因此，集中管理数据成为一种思路。利用成熟的网络传输技术集中分布式嵌入式系统数据，采用C/S模式管理数据。对于大容量数据存储，选择介质存储是需要重点考虑的问题。目前大多采用IDE硬盘或SCSI硬盘存储，但都存在抗震和抗电磁干扰能力差、使用温度范围窄，无法长期在恶劣的环境中长期工作。电子式Flash存储器具有速度快、容量大、成本低、体积
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美国iSuppli调研结果显示，由于供应过剩与价格暴跌，DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。 NAND闪存方面，预计512M产品全球平均单价(ASP)将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分别为6%与8.4%。但是在第四季度，随着价格下跌，行情出现恶化，短期内很难恢复。iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim表示，此次价格下跌的主要原因韩国内存厂商将生产能力从DRAM转移至NAND闪存，从而导
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11月上旬NAND Flash合约价格大致跌幅约为0-5%，比前两个月跌幅明显缩小，主要是因为下游客户在10月已陆续进行降低库存的动作，加上市场预期11月中旬要开始准备年底旺季的备货需求，根据集邦科技(DRAMeXchange)观察，NAND Flash价格走势在11月初已经出现止跌回稳的现象。 随着NAND Flash供货商5X纳米制程产品供应量提高后，下游客户采购颗粒开始转向以8Gb和16Gb MLC为主流，导致TSOP 4G MLC颗粒跌幅约为11%，相较于其它规格来得显著。有鉴于9月以来
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嵌入式系统的大量数据都存储在其F1ash芯片上。根据Flash器件的固有特性，构建一个适合管理NAND Flash存储器的FAT文件系统，并阐述具体的设计思想。该系统改进了FAT表和FRT表的存储方式，延长了存储器的使用寿命，提高了稳定性。 NAND Flash存储器是一种数据正确性非理想的器件，容易出现位反转现象，同时在使用中可
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根据集邦科技(DRAMeXchange)最新出炉的第三季NANDFlash营收市占率报告指出，NANDFlash品牌厂商在2007年第三季整体营收表现亮丽，逼近三十九亿美元，比第二季增长了36.8%;整体NANDFlash位出货量相较于第二季增长约30%;而就营收排行而言，三星(Samsung)如预期再度蝉连冠军，东芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特尔(Intel)营收均有显著的增长。 由于第三季为传统NANDFlash下游客户的备货旺
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IDC在最新的《全球半导体市场预测》中预测，2007年全球芯片销售收入增长速度放慢将为2008年的大增长奠定基础。 据国外媒体报道，2007年全球芯片市场的增长速度将只有4.8%，2006年的这一数字只有8.8%。IDC预测，2008年的增长速度将达到8.1%。 报告指出，如果产能增长速度在明年放缓和需求仍然保持缓慢，芯片市场的增长速度会更快。市场潮流是合并和收购，这可能会改变业界的竞争格局。 IDC负责《全球半导体市场预测》的项目经理戈帕尔说，今年上半年芯片市场的供过于求降低了对各
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最近公布的数据显示，2007年IC单位出货量将增长10%，略高于市场调研公司ICInsights最初预计的8%。自2002年以来，IC单位出货量一直保持两位数的年增长率。DRAM(49%)、NAND闪存(38%)、接口(60%)、数据转换(58%)、和汽车相关的模拟IC(32%)出货量强劲增长，正在推动总体产业需求，并使IC出货量保持在高位。 1980年以来，IC产业单位出货量有两次实现连续三年保持两位数增长率，分别是1982-1984和1986-1988年。在这两次之后，IC的单位出货量增长速
关键字：嵌入式系统 单片机 IC DRAM NAND 模拟IC
iPodTouch面板供货不及，大量出货日期延后，NANDFlash厂最着急，NANDFlash价格反弹后继无力。 据境外媒体报道，为迎圣诞买气，各大NANDFlash厂商铆足了劲，原本寄望因苹果(Apple)iPodTouch成走红圣诞礼物而大量出货，借此将NANDFlash价格回升，然后，却因iPodTouch的关键零组件触控面板出现供货不足，造成iPodTouch出货量受限，继而影响NANDFlash的出货，真是急坏了NANDFlash厂商。 苹果原计划九月起开始出货，但因没有足够的
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