- 继 Crossbar 在先前 IEDM 2014(IEEE International Electron Devices Meeting)发表了他们在电阻式记忆体(Resistive RAM, RRAM、ReRAM)的最新成果之后，Sony 也与合作夥伴 Micron 发表了自 2011 年首度公开 RRAM 试作品后的最新试作品结果。 在 RRAM 的合作关系中，Sony 与 Micron 各自扮演了重要角色;Sony 持有 RRAM 的技术，Micron 则是目前记忆体制造业的大厂。在今年的
- 关键字：RRAMSonyMicron
- 阻变存储器RAM(RRAM)是一种可以用于PC和移动设备的内部存储器，相比现在的闪存，它的速度快上许多，读写时还非常节能。今天，加州一家技术公司Crossbar宣布研发出全新电阻式RAM技术，可以在一颗比邮票还小的单芯片中存下1TB的数据，这意味着未来电子产品的存储密度将极大地提高，同时RRAM的写入性能比目前最好的NAND芯片还快上20倍，读写时的功率仅为1/20。 取决于不同的设备，RRAM可以将设备电池寿命延长数周、数月甚至数年，使用寿命也10倍于NAND，可以说是一种完美的高速存储器。C
- 关键字：阻变存储器RRAM
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