随着特斯拉宣布其下一代 EV 动力总成系统的 SiC 组件使用量减少 75%,预计第三代化合物半导体市场状况将发生变化,GaN 被认为会产生后续替代效应。据业内消息人士透露,这有望使台积电、世界先进半导体 (VIS) 和联华电子受益,它们已经进行了早期部署,并继续扩大其 8 英寸加工 GaN 器件的产能。GaN 和 SiC 的比较GaN 和 SiC 满足市场上不同的功率需求。SiC 器件可提供高达 1200V 的电压等级,并具备高载流能力,因此非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场和大型三相电网
一直以来,“里程焦虑”、“充电缓慢”都是卡住新能源汽车脖子的关键问题,是车企和车主共同的焦虑;但随着高压电气技术的不断进步和快充时代的到来,将SiC(碳化硅)一词推向了市场的风口浪尖。继2019年4月保时捷Taycan Turbo S 全球首发三年后,800V高压超充终于开始了普及。相比于400V,800V带来了更高的功效,大幅提升功率,实现了15分钟的快充补能。而构建800V超充平台的灵魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引领着这一轮高压技术的革命。小鹏发布的800V高压SiC平台Si(硅)早已
碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为宽禁带半导体单极型功率 器件,具有频率高、耐压高、效率高等优势,在高压应用领域需求广泛,具有巨大的研究价值。回顾了高压 SiC MOSFET 器件的发展历程和前沿技术进展,总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构,介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状,对高压 SiC MOSFET 器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。1 引言电力电子变换已经逐步进入高压、特高压领域,高压功率器件是制约变换器体积、功耗和效率的决定性因素。特高压交直流输电、
去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款开售,其产品设计和功能变化都引起了外界关注。在特斯拉 Model 3 车型中,SiC 得到量产应用,这吸引了全球汽车厂商的目光。搭载 SiC 芯片的智能电动汽车,可提高续航里程,对突破现有电池能耗与控制系统上瓶颈,乃至整个新能源汽车行业都有重要意义。目前,业内普遍认为以 SiC 为代表的宽禁带半导体将成为下一代半导体主要材料,那么宽禁带半导体当前发展状况如何?国内外发展宽禁带半导体有哪些区别?未来发展面临着哪些挑战?01、特斯拉 Model 3 首批
SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [
查看详细]