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三星SK海力士存储器被中国美国追赶 韩政府预算零成长

  •   韩国政府2016年未编列半导体预算,使韩国半导体业界不满声浪高涨。在韩国引以为傲的存储器市场上,大陆和美国迅速追击,韩国半导体业者危机感提升,而列为未来成长动能的IC设计,也未受到韩国政府重视。   据Digital Times报导,韩国政府对半导体、显示器等核心产业,以及电子情报装置新事业等,均未编列预算。自2016年起,将不会有由韩国政府主导的新半导体相关研发。   目前正在进行的系统芯片扶植相关研发事业也陷入危机。韩国产业通商资源部关系人员指出,产业委员会对于预算方面提出质疑,并主张增资30
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三星SK海力士营收持平 Q3移动存储器占DRAM营收40%

  •   市场研究机构TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange观察指出,受到市况供过于求影响,DRAM平均销售单价持续下降,然而各家厂商策略性地将跌幅最大的标准型存储器产能转往毛利较高、价格较稳定的服务器存储器及移动存储器领域,配合位元颗粒仍持续成长,整体DRAM营收规模尚未出现大幅的缩减。   DRAMeXchange最新报告显示,第三季DRAM总产值小幅衰退1.2%,移动存储器占总营收比重从第二季的33.7%,大幅提升至第三季的40%。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,第
  • 关键字:三星SK海力士

三星、SK海力士2016年半导体投资前景仍未明

  • 现在是2016年半导体设备投资应稍有雏形的时间点,但韩系半导体大厂经营计划不明朗,变动性大,半导体设备业者难以拟定事业计划。
  • 关键字:三星SK海力士

全球第二!SK海力士追上三星、量产20纳米DRAM

  •   SK海力士终于赶上三星电子,成为全球第二家成功量产20奈米DRAM的厂商。该公司也力拼3D NAND Flash研发,期盼能在明年量产48层3D NAND。   BusinessKorea 15日报导,SK海力士人员受访表示,该公司引入20奈米DRAM制程,过程虽有困难,但已经稳定,开始寄送样品给客户、进入量产。据此而言,SK海力士是世界第二家量产20奈米DRAM的业者。三星首开先例,去年3月就量产20奈米DRAM。   SK海力士也宣布3D NAND研发计画,社长朴星昱(Park Sung-wo
  • 关键字:SK海力士三星

鸿海、SK海力士要包揽亚洲市场?

  •   南韩第三大企业集团SK会长崔泰源近日来台,并前往鸿海土城总部与董事长郭台铭会面,双方畅谈近2小时。会后双方接受短暂访问时表示,此次主要是初步交流,瞭解有多少机会能进行合作,未来可能共同在台湾、中国、印度等地区发展,不过尚未谈到具体合作细节。   郭台铭表示,鸿海及SK集团1、2年前彼此有投资关系,过去已见面许多次,崔泰铭此次先前往中国再来访台湾,主要想看看两岸整体经济环境、寻找生意机会。这次崔泰铭首度来访,是想瞭解鸿海目前的营运状况,针对有多少机会能进行合作,于台湾、中国、印度、甚至是全世界发展,进
  • 关键字:鸿海SK海力士

SK海力士进军超高速SSD市场

  •   继三星电子(Samsung Electronics)之后,SK海力士(SK Hynix)也进军超高速固态硬碟(SSD)市场。将推出应用非挥发性存储器储存装置(NVMe)标准的SSD。   据韩媒Newsis报导,日前业界消息传出,SK海力士已投入量产NVMe架构的M.2规格SSD新产品“PC300”。容量512GB,该产品能让搭载的超轻薄笔记型电脑(NB)速度更快,电池更薄却待机更久,可望取代SSD。   所谓NVMe是PCIe架构的介面,让搭载SSD的伺服器、PC得以提升
  • 关键字:SK海力士SSD

全球半导体支出缩减 三星、SK海力士反其道而行

  •   南韩存储器芯片业界将主导设备投资(CAPEX)竞争。在其他地区竞争业者担忧IT产品需求趋缓,而缩减设备投资规模时,三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等南韩企业将反其道而行,扩大投资并推动微细制程尖端化等,致力于研发新技术,未来在竞争中将更具优势。   据南韩Newstomatoa报导,英特尔(Intel)决定将2015年设备投资规模,从87亿美元缩减11.5%至77亿美元;台积电设备投资规模也从120亿美元减少约8%至110亿美元。因IT装置等终端产业
  • 关键字:三星SK海力士

DRAM惨!SK海力士Q3难好转、转攻NAND救火

  •   南韩存储器大厂SK海力士(SK Hynix)第二季财报逊于预期,分析师预估,由于个人电脑(PC)的DRAM需求持续疲软,SK海力士本季表现恐怕难有起色。   韩联社24日报导,SK海力士Q2营益为1.37兆韩圜(11.8亿美元),不及分析师估计的1.44兆韩圜。NH Investment & Securities Co.分析师Lee Sae-chul指出,PC DRAM需求欠佳,8月份为止价格将持续下滑,到9月才会回稳,因此SK海力士Q3的DRAM营益会与前季持平;不过,下半年该公司的NAN
  • 关键字:SK海力士DRAM

清华紫光若买下美光 影响SK海力士有限

  •   清华紫光传出有意收购美光(Micron)消息后,韩国分析师认为,双方成交后对于韩国对手SK海力士(SK Hynix)影响不大,而且清华紫光提出价格偏低及政治因素,都是阻碍成交的因素。   据韩国时报(The Korea Times)报导,Hi Investment分析师Song Myeong-seop表示,由于存在诸多外部因素,短期内该收购案恐怕无法成真。即使最终清华紫光如愿买下美光,也只会对SK海力士造成轻微影响。   有分析师指出,SK海力士在DRAM技术上领先美光至少18个月,因此SK海力士
  • 关键字:清华紫光SK海力士

三星、SK海力士领军 NAND Flash主导下半年设备投资

  • DRAM与NAND Flash市场预期下半年将持续荣景,主要设备厂商业绩也有望改善,三星电子和海力士获利最大。
  • 关键字:三星SK海力士

平面架构1x纳米NAND揭密!

  •   过去的一年半以来,主要NAND快闪记忆体制造商已经开始销售1x奈米等级的平面快闪记忆体;根据我们调查开放市场上所销售元件的供应来源,美光(Micron)是从2014年2月开始供应1x奈米元件的第一家记忆体厂商,随后是在同年10月推出产品的SK海力士(Hynix)。在近六个月之后,TechInsights实验室才出现三星(Samsung) 16奈米与东芝(Toshiba) 15奈米产品。   针对平面NAND快闪记忆体的微影尺寸终点,在文献中已经有很多讨论;其替代方案是垂直堆叠式的快闪记忆体,例如三星
  • 关键字:NANDSK海力士

扩产或受影响?SK海力士工厂氮气外泄夺三命

  •   南韩记忆体大厂SK 海力士 (SK Hynix )又传公安意外,造成三人丧命!SK海力士施工中的新厂氮气外泄,有三名工人窒息死亡,上个月该厂才有13名工人因气体外泄送医。   etnews、 韩国先驱报(The Korea Herald)、路透社报导,SK海力士的M14仁川工厂十楼,30日发生氮气外泄事故。该公司称,工人正在测试刚安装好的湿式空气清净系统,可能因此窒息死亡。氮气没有毒性,但是密闭空间中氮气外泄,会导致含氧量会迅速减少,危险性极高。   M14仁川厂三月份才发生过类似意外,当时有13
  • 关键字:SK海力士M14

DRAM产业十年一劫,中国全面抢滩市场

  •   中国扶植自有DRAM供应链计划浮上台面,业界透露中国将分三个阶段着手,包括扶植大型集团建立自有技术、高关税逼迫国际大厂合作、强制品牌系统厂采用, 由于上一轮全球DRAM市场崩盘是在2008年发生,业界直指十年一劫的DRAM淘汰赛恐将在2017年再度引爆,对于既有DRAM业者SK海力士、美光 (Micron)等恐造成不小冲击。   半导体业者表示,中国建立DRAM产业最难解问题,似乎是如何取得被三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士、美光三大厂所把持的DRAM技术,然事实上,中
  • 关键字:SK海力士DRAM

SK海力士超车美光、跃居全球第四大芯片商

  •   南韩业者来势汹汹,在半导体产业实力日益壮大!外传三星电子(Samsung Electronics)靠着先进制程抢走台积电 (2330)不少大单,如今IHS Technology数据又显示,南韩记忆体大厂SK 海力士 (SK Hynix )踢下美光(Micron Technology),晋身全球第四大晶片制造商。
  • 关键字:SK海力士美光

SK海力士全面进入20纳米级DRAM时代

  •   SK海力士(SK Hynix)中断生产30纳米级DRAM,全面进入20纳米级生产时代。据了解,SK海力士在4年前才首度采用38纳米制程生产DRAM,不过到2015年第1季,生产效率比30纳米级制程更高的25纳米DRAM制程比例,已高达全体生产的82%。   韩媒Digital Times报导,日前业界消息传出,SK海力士的38纳米制程到2014年第4季为止,约占全体DRAM生产比例的8%,但从2015年第1季开始已全面转进20纳米级制程。全球DRAM市占率第三名的美光(Micron),目前30纳米级
  • 关键字:SK海力士DRAM

sk海力士介绍

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