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非互补有源钳位可实现超高功率密度反激式电源设计
- 离线反激式电源在变压器初级侧需要有钳位电路（有时称为缓冲器），以在正常工作期间功率MOSFET开关关断时限制其两端的漏源极电压应力。设计钳位电路时可以采用不同的方法。低成本的无源网络可以有效地实现电压钳位，但在每个开关周期必须耗散钳位能量，这会降低效率。一种改进的方法就是对钳位和功率开关采用互补驱动的有源钳位技术，使得能效得以提高，但它们会对电源的工作模式带来限制（例如，无法工作于CCM工作模式）。为了克服互补有源钳位电路所带来的设计限制，可以采用另外一种更先进的控制技术，即非互补有源钳位。该技术可确保以
- 关键字：MOSFET
英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。该功率MOSFET采用PQFN 封装，尺寸为3.3 x 3.3 mm2，支持从25 V到100 V的宽电压范围。此种封装可实现更高的效率、更高的功率密度以及业内领先的热性能指标，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面树立了新的行业标杆。该器件的应用领域十分广泛，涵盖电机驱
- 关键字：MOSFET
Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC
- InnoSwitch3产品系列阵容再度扩大，新器件不仅能显著减少元件数量，还可大幅提高电动汽车和工业应用的效率
- 关键字：InnoSwitch™3-AQ碳化硅MOSFET电动汽车牵引逆变器
大功率电池供电设备逆变器板如何助力热优化
- 电池供电电机控制方案为设计人员带来多项挑战，例如，优化印刷电路板热性能目前仍是一项棘手且耗时的工作；现在，应用设计人员可以用现代电热模拟器轻松缩短上市时间。
- 关键字：MOSFET
ROHM开发出45W输出、内置FET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2P06xMF-Z”
- 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）面向空调、白色家电、FA设备等配备交流电源的家电和工业设备领域，开发出内置730V耐压MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年来，家电和工业设备领域的AC/DC转换器，不仅要支持交流输入85V～264V以处理世界各地的交流电压，作为电源整体还要符合能效标准“Energy Star*3”和安全标准“IEC 62368”等，需要从国际视角构建电源系统。其
- 关键字：MOSFET
ADI浪涌抑制器——为产品的可靠运行保驾护航
- 一、复杂的电子环境汽车、工业和航空电子设备所处的供电环境非常复杂，在这种恶劣的供电环境中运行，需要具备对抗各种浪涌伤害的能力。以汽车电子系统供电应用为例，该系统不但需要满足高可靠性要求，还需要应对相对不太稳定的电池电压，具有一定挑战性；与车辆电池连接的电子和机械系统的差异性，也可能导致标称12 V电源出现大幅电压偏移。事实上，在一定时间段内，12 V电源的变化范围为–14 V至+35 V，且可能出现+150 V至–220 V的电压峰值。这种很高的瞬态电压在汽车和工业系统是常见的，可以持久从微秒到几百毫秒，
- 关键字：MOSFET
使用氮化镓(GaN)提高电源效率
- 如今，越来越多的设计者在各种应用中使用基于氮化镓的反激式ac/dc电源。氮化镓之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源尺寸，降低工作温度。晶体管无论是由硅还是由氮化镓制成，都不是理想的器件，使其效率下降的两个主要因素（在一个简化模型中）：一个是串联阻抗，称为rds(on)，另一个是并联电容，称为coss。这两个晶体管参数限制了电源的性能。氮化镓是一种新技术，设计者可以用它来降低由于晶体管特性的不同而对电源性能产生的影响。在所有晶体管中，随着rds(on)的减小，管芯尺寸会增加，这会导
- 关键字：MOSFET
意法半导体推出第三代碳化硅产品，推动电动汽车和工业应用未来发展
- ※ 意法半导体最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了产品性能和可靠性，保持惯有领先地位，更加适合电动汽车和高能效工业应用※ 持续长期投资 SiC市场，意法半导体迎接未来增长服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管[1]，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。作为 Si
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