尽管一直高于全球的发展速度，中国电源管理半导体市场在经历了多年的快速增长之后，正不断放缓步伐，特别是在去年被金融海啸波及之后。但是，随着国家政策刺激拉动整机设备制造保持增长，今后两年中国的市场需求整体也将继续较快增长，预计增长幅度将与金融海啸最肆虐的2008年持平甚至略高。
关键字：电源管理 节能 IGBT MOSFET 数字电源 稳压器 200903
许多电子设计应用要求的激励源幅度超出了当前市场上大多数任意波形/函数发生器的能力，包括电源半导体应用，如汽车电子系统和开关电源中广泛使用的MOSFETs和IGBTs，气相色谱和质谱检测器使用的放大器，以及科学和工业应用中使用的其它设备。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信号的传统方法，然后讨论了典型应用，说明了使用集成高幅度阶段的新型任意波形/ 函数发生器的各种优势。
关键字：泰克 MOSFET IGBT 200903
电动工具由于其设计轻巧、动力强劲、使用方便等优点，在各种场合得到了广泛的应用。电动工具一般采用直流有刷电机配合电子无级调速电路实现，具有起动灵敏并可正反调速等功能，如手电钻、电动起子等。无级调速电路一
关键字：系统 可靠性 电动工具 提高 MOSFET 选择
产品特性： 耐压650V STY112N65M5:最大导通电阻为0.022Ω（漏极电流为93A） STW77N65M5:最大导通电阻0.038Ω（漏极电流为66A） 采用了改进Super Junction结构 应用范围： 太阳能电池功率调节器
关键字：意法 MOSFET IGBT
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
关键字：MDmeshV MOSFET RDS
自从美国TI公司推出通用可编程DSP芯片以来，DSP技术得到了突飞猛进的发展。DSP电源设计是DSP应用系统设计的一...
关键字：DSP CPU 电源芯片 MOSFET
NCP370保护便携设备免受浪涌损伤，并控制反向电流来保护便携设备附件，不需使用外部元件。 2009年2月3日 - 全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出业界首款集成型双向器件，为手机、MP3/4、个人数字助理(PDA)和GPS系统提
关键字：安森美 OVP OCP MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 现有的同类 SO-8 封装器件额定电压下导通电阻仅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
关键字：MOSFET
Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。 虽然SOT23F的扁平封装体积小巧，但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。这款最新IntelliFET的导通电阻仅为500mΩ，能够使功耗保持在绝对极小值。 ZXMS
关键字：Diodes MOSFET ZXMS6004FF
本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程；然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法：基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程，并详细阐述了其开关过程。
关键字：MOSFET 漏极 导通 开关过程
功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件，而且也代表着一个众所周知的事实――硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。
关键字：MOSFET 表面贴装 封装
有些设计者为了追求较高的转换效率, 选择了升压方式，产生一组高于输入的稳定输出, 如图三的升压架构。由于功率开关MOSFET是外置的, 可提供较大的输出功率。在输出功率许可的条件下，也可以选择内置MOSFET功率开关的升压转换器，如MAX1722, 可有效节省空间、降低成本。 手机Vdd解决方案 对于手机Vdd，可以选择Buck电路提供所需要的电压。图四便是一个内置MOSFET功率开关的同步降压结构，可提供400mA的输出电流。工作频率高达1.2MHz, 允许设计者选用小尺寸的电感和输出电容,
关键字：MOSFET 电源 OLED
0 引言 近几年，随着电子消费产品需求的日益增长，功率MOSFET的需求也越来越大。其中，TMOS由于沟道是垂直方向，在相同面积下，单位元胞的集成度较高，因此导通电阻较低，同时又具有较低的栅－漏电荷密度、较大的电流容量，从而具备了较低的开关损耗及较快的开关速度，被广泛地应用在低压功率领域。 低压TMOS的导通电阻主要是由沟道电阻和外延层电阻所组成，为了降低导通电阻，同时不降低器件其他性能，如漏源击穿电压，最直接的办法是减少相邻元胞的间距，在相同的面积下，增加元胞的集成度。基于此，本文借助了沟槽
关键字：MOSFET
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P沟道PowerTrench® MOSFET，FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench® MOSFET，带有肖特基二极管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新产品的体积减小55%、高度降低5
关键字：飞兆半导 FDMA1027 MOSFET
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