- 摘 要：本文研究了P型保护环对双向可控硅（DDSCR）静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备 了不带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR）和带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR_GR）器件，在 高压工艺下制备了不带保护环的高压双向可控硅（HVDDSCR）和带保护环的高压双向可控硅（HVDDSCR_ GR）器件。利用B1505A功率器件分析仪测试并讨论了器件的电容特性，同时利用传输线脉冲（TLP）测试仪 分析了它们的静电性能。结果表明，保护环的增加对器件静电防护能力无较大影响，但在1
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