能达到高分辨率、高对比度、高亮度显示效果的Micro LED显示器，早在2012年就已经出现初代样品，但受限于超高难度的制造过程，至今仍被业界视为「梦幻级产品」。近年来，在大厂领军推动下，虽然已经有愈来愈多的样品持续现踪，不过要真正进入到市场消费端，根据业内人士推估，还要至少3年以上的时间。为突破Micro LED显示技术发展，势必得解决巨量转移制程这个大难关。目前已经有许多技术单位开发出不同取向的转移方式，包括转印、流体组装、喷墨打印等等，但这些方法在后续的Micro LED芯片处理过程中，
关键字：硅基氮化镓 Micro LED
意法半导体（STMicroelectronics）和电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供货商MACOM技术解决方案控股有限公司（那斯达克股票代码：MTSI」）宣布，已成功制造出射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鉴于此佳绩，意法半导体与MACOM将继续合作，并加强双方的合作关系。射频硅基氮化镓为5G和6G基础建设之应用带来巨大的发展潜力。早期世代的射频功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用横向扩散金属氧化物半导体（Laterally-Diffused Metal
关键字：意法半导体 MACOM 射频 硅基氮化镓
5月13日，意法半导体和MACOM宣布宣布成功生产射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大潜力。长期存在的射频功率技术横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)主导了早期射频功率放大器(PA)。对于这些射频功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射频特性和显着更高的输出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率应用对SiC晶圆的竞争以及其非主流半导体加工，RF GaN-on-SiC可能会更昂贵。目前，意法半导体和
关键字：意法半导体 硅基氮化镓
合作研制先进的硅基氮化镓功率二极管和晶体管架构,并将其量产利用IRT纳电子技术研究所的研究结果，工艺技术将会从Leti的200mm研发线转到意法半导体的200mm晶圆试产线，2020年前投入运营中国 / 24 Sep 2018横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）和CEA Tech下属的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化镓（GaN）功率开关器件制造技术。该硅基氮化镓功率技术将让意法半导体能
关键字：意法半导体 硅基氮化镓
产品达到成本和性能双重目标，现进入认证测试阶段实现弹性量产和供货取得巨大进展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码:STM)和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司(纳斯达克股票代码:MTSI，以下简称“MACOM”) 宣布，射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。射频硅基氮化镓可为5G和
关键字：意法半导体 硅基氮化镓
硅基氮化镓从早期研发到商业规模应用的发展历程无疑是一次最具颠覆性的技术革新过程，为射频半导体行业开创了一个新时代。
关键字：硅基氮化镓 5G
英诺赛科(珠海)科技有限公司举行8英寸硅基氮化镓通线投产仪式。据悉，这是中国首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线。由于高温环境下生长的氮化镓薄膜冷却时受热错配�
