首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 隔离栅双极性晶体管(igbt)

隔离栅双极性晶体管(igbt) 文章 进入隔离栅双极性晶体管(igbt)技术社区

IGBT单管数据手册参数解析(上)

  • IGBT是大家常用的开关功率器件,本文基于英飞凌单管IGBT的数据手册,对手册中的一些关键参数和图表进行解释说明,用户可以了解各参数的背景信息,以便合理地使用IGBT。英飞凌的IGBT数据手册通常包含以下内容:1. 封面,包括器件编号,IGBT技术的简短描述,如果是带共封装续流二极管的器件,数据手册也会包括二极管的功能,关键参数,应用以及基本的封装信息。2. 最大额定电气参数和IGBT热阻/二极管热阻3. 室温下的电气特性,包括静态和动态参数4. 25°C和150°C或175°C时的开关特性5. 电气特性
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  

IGBT栅极驱动设计,关键元件该怎么选?

  • 栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能,在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过,上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI,而上升/下降时间过慢会增加IGBT的开关损耗。栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能,在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过,上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI,而上升/下降时间过慢会增加IGBT的开关损耗。图1:DGD0216 的栅极驱动组件上图展示的是来自Diodes的DGD0216栅极驱
  • 关键字: DigiKey  IGBT  

IGBT适用于ZVS 还是 ZCS?

  • 提到软开关技术,大家耳熟能详的有零电压开通ZVS(Zero voltage switching) 和零电流关断ZCS(Zero current switching),同时,尤其是在现在的电源产品中,绝大多数的采用软开关拓扑的电源产品都选择了ZVS,而不是ZCS,所以,Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同学提到ZVS时想到的主要功率器件搭档,而不是IGBT。今天我就来唠一唠IGBT在软开关拓扑中的应用,IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更适用于ZCS。长期以来,IGBT给人的印象就如农
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  

如何抑制IGBT集电极过压尖峰

  • 在过去的文章中,我们曾经讨论过IGBT在关断的时候,集电极会产生电压过冲的问题(回顾:IGBT集电极电压超过额定电压会发生什么?)。IGBT关断时,集电极电流Ic迅速减小到0,急剧变化的di/dt流经在系统杂散电感,产生感应电压ΔV。ΔV叠加在母线电压上,使IGBT承受高于平常的电压应力。哪怕这电压尖峰时间很短,也可能对IGBT造成永久性损坏。di/dt与IGBT芯片特性有关,也与关断时器件电流有关。当器件在短路或者过流状态下关断时,集电极电压过冲会格外大,有可能超过额定值,从而损坏IGBT。所以如何抑制
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  

功率半导体冷知识之二:IGBT短路时的损耗

  • IGBT主要用于电机驱动和各类变流器,IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一,短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。IGBT是允许短路的,完全有这样的底气,EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的数据手册是这样描述短路能力的,在驱动电压不超过15V时,短路电流典型值是2400A,只要在10us内成功关断短路电流,器件不会损坏。IGBT的短路承受能力为短路保护赢得时间,驱动保护电路可以从容安全地关断短路电流。短路能力不是免费的器
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  功率半导体  

具有故障存储功能的数字化IGBT驱动器的设计

  • 摘要:针对轨道交通领域IGBT的使用要求,设计了一款基于可编程逻辑器件并具有故障存储功能的数字化 驱动器。文章介绍了驱动器总体方案,设计了多电压轨电源系统;分析了异常驱动信号对IGBT正常工作的危 害,并通过软件算法实现了短脉冲抑制与超频保护;电源欠压会导致IGBT开关异常,使用欠压检测芯片进行 检测并在发生欠压故障时进行脉冲封锁;针对短路故障,使用退饱和电路检测并结合软件时序进行保护;详细 分析了IGBT开关过程各阶段的不同特性,设计了可优化开关性能的多等级开关电路;通过存储芯片与可编程 逻辑
  • 关键字: 202206  存储  数字化  IGBT  驱动器  

驱动电机控制器IGBT驱动电源设计与验证

  • 摘要:本文介绍了一种新能源电动汽车上用驱动电机控制器IGBT驱动电源方案的设计分析及其验证,通过 对基本Buck-boost拓扑研究变换到Flyback电路,通过对LTC1871电流驱动芯片的应用设计、分析,设计反激变 压器参数目标需求匹配驱动电路,通过PWM供电、NMOS驱动、电流检测、反馈输出电压跟踪闭环调节,实 现满足一款Infineon的驱动芯片1ED020I12芯片的驱动电路系统,本方案通过原理设计、电路仿真及电路台架测 试,验证了系统性能、安全性高,同时可以通过较少的外围电路实现可靠的
  • 关键字: 202206  升降压变换器  反激  反激变压器  IGBT  脉宽调制  

英搏尔率先采用英飞凌750 V车规级分立式IGBT EDT2组件

  • 海英搏尔电气股份有限公司,率先引入英飞凌科技股份有限公司最新推出750 V车规级IGBT ,包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两款型号。 这款分立式IGBT EDT2组件采用TO-247PLUS封装,可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能,并节约系统成本。除此之外,它们还能够为设计师提供更大的自由度,有助于实现系统整合。英搏尔MCU技术总监刘宏鑫表示:「英搏尔坚定不移地遵循使用分立式组件设计电机控制单元(MCU)的技术路线,不断开发出高性价比的产品,从而始终保持
  • 关键字: 英搏尔  英飞凌  IGBT  EDT2组件  

英搏尔率先采用英飞凌最新推出的 750 V车规级分立式IGBT EDT2器件

  • 中国领先的车载逆变器供应商珠海英搏尔电气股份有限公司率先引入了英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)最新推出的750 V车规级IGBT ,包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2两个型号。这款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封装,可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能,并节约系统成本。除此之外,它们还能够为设计师提供更大的自由度,有助于实现系统集成。         &
  • 关键字: 英博尔  英飞凌  IGBT  

英飞凌推出超可靠的压接式IGBT,进一步壮大Prime Switch系列的产品阵容

  • Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管(FWD)、采用陶瓷平板封装的全新压接式IGBT(PPI),进一步壮大其高功率Prime Switch系列的产品阵容。该PPI专为输配电应用而设计,是大电流模块化多电平转换器(MMC)、中压驱动器、直流电网断路器、风电变流器和牵引系统的理想选择。Prime Switch IGBT的阻断电压为4.5 kV,不带有FWD的型号电流为3000 A,带有FWD的型号为 2000 A。英飞凌为3000
  • 关键字: IGBT  FWD  

英飞凌推出基于1700 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3模块,大幅提升逆变器的功率密度

  • 英飞凌科技股份公司近日发布了采用EconoDUAL™ 3标准工业封装的全新1700 V TRENCHSTOP™ IGBT7模块。凭借这项全新的芯片技术,EconoDUAL 3模块可提供业界领先的900 A和750 A额定电流,进一步拓展逆变器的功率范围。该模块可广泛应用于风电、电机驱动和静态无功发生器(SVG)等应用。与过去采用IGBT4芯片组的模块相比,基于TRENCHSTOP IGBT7芯片的FF900R17ME7_B11模块在相同的封装尺寸下,可将逆变器的输出电流值提高40%。全新的1700 V I
  • 关键字: 逆变器  IGBT  

IGBT窄脉冲现象解读

  • IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活中开关门太快容易挤压手一样,过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时,时常会无奈发生,占空比越小越容易输出窄脉冲,且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。什么是窄脉冲现象IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活中开关门太快容易挤压手一样,过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着I
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  窄脉冲  

e络盟现货开售Power Integrations系列高功率产品

  • 安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟近日引入Power Integrations系列高功率栅极驱动器,进一步扩大其功率产品阵容,均可快速交付。Power Integrations高功率产品系列包括:●   SCALE™-2:即插即用●   ISO5125I:DC-DC电源●   SCALE-2:Driver Core驱动核●   SCALE-2+:Driver Core 驱动核●   SCAL
  • 关键字: 高功率  IGBT  

晶体管、MOS管、IGBT辨别与区分

  •   晶体管、MOS管、IGBT管是常见的电力电子控制器件。电流触发晶体管只能控制开启,不能控制关闭属于半可控件;电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启,也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要,小编根据所学及理解做如下总结,希望能给大家一些帮助。一、晶闸管  1、别名:可控硅是一种大功率半导体器件,常用做交流开关,触发电流>50毫安  2、特点:体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率  3、主要应用领域:整流、逆变、变频、斩波(直流-
  • 关键字: IGBT  晶体管  MOS管  

突发!传IGBT大厂停止接单

  •   IGBT市场缺口高达50%,安森美已不再接单。  随着新能源汽车发展,IGBT需求量水涨船高,同时叠加持续一年有余的全球缺芯大背景,车规级IGBT依旧在苦苦挣扎。今年2月,业内已发出预警称,今年下半年IGBT或将成为新能源汽车生产瓶颈所在,其影响可能将超过MCU。  如今迈入5月,IGBT供不应求已有愈演愈烈之势。目前IGBT交货周期已全线拉长到50周以上,个别料号周期甚至更长。需求高涨下,IGBT订单与交货能力比最大已拉至2:1。若去掉部分非真实需求订单,预计真实需求是实际供货能力的1.5倍,这也意
  • 关键字: IGBT  
共594条 1/40 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

隔离栅双极性晶体管(igbt)介绍

您好,目前还没有人创建词条隔离栅双极性晶体管(igbt)!
欢迎您创建该词条,阐述对隔离栅双极性晶体管(igbt)的理解,并与今后在此搜索隔离栅双极性晶体管(igbt)的朋友们分享。    创建词条

热门主题

关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473