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英飞凌绝缘体上硅(SOI)高压驱动芯片的三个优势

• 现在的高功率变频器和驱动器承载更大的负载电流。如下图1 所示：由于功率回路里的寄生电感（主要由功率器件的封装引线和PCB的走线产生的），电路中VS脚的电压会从高压母线电压（S1通S2关时）变化到低于地的负压（S1关闭时）。图一右边波形中的红色部分就是VS脚在半桥感性负载电路中产生的瞬态负电压。电平转移高压驱动芯片有两个主要组成部分：1 电平转移电路，其作用是把以COM脚为参考的输入逻辑信号转换成以VS脚为参考的输出驱动信号。2 自举二极管，对浮地端的供电电容进行充电。对于这两部分电路，英飞凌的SOI驱动芯
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