MOSFET_datasheet_参数理解及其主要特性（转）

MOSFET_datasheet_参数理解及其主要特性根据电源谷网站文章整理

MOSFET datasheet 参数理解及其主要特性
来源:电源谷 作者:Blash

下文主要介绍 mosfet 的主要参数，通过此参数来理解设计时候的考量 一、场效应管的参数很多，一般 datasheet 都包含如下关键参数： 1 极限参数： ID ：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。 IDM ：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。 PD ：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使 用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升 而有所减额。 VGS ：最大栅源电压。 Tj ：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃ ，器件设计的工作条件下须确应 避免超过这个温度，并留有一定裕量。 TSTG ：存储温度范围。 2 静态参数 V(BR)DSS ：漏源击穿电压。是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受 的最大漏源电压。 这是一项极限参数， 加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。 它 具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。 △ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为 0.1V/ ℃。 RDS(on) ：在特定的 VGS （一般为 10V ）、结温及漏极电流的条件下， MOSFET 导通 时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的消耗功率。 此参数一般会随结温度的上升而有所增大。 故应以此参数在最高工作结温条件下的值 作为损耗及压降计算。 VGS(th) ：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和 源区的表面反型层