一简化的VBIC模型和InGaPGaAs HBT宽带放大器设...

一简化的VBIC模型和InGaPGaAs HBT宽带放大器设计
一简化的VBIC模型和InGaP/GaAs HBT宽带放大器设计
孙玲玲 刘军
（杭州电子科技大学微电子CAD所，杭州 310018）

摘要：采用一新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs
HBT器件进行建模。测量和模型仿真I-
V特性和多偏置条件下多频率点S参数对比结果表明，DC-
9GHz频率范围内，简化后模型可对InGaP/GaAs
HBT交流小信号特性进行较好的表征。利用建立的模型设计出DC-
9GHz两级直接耦合宽带放大器，该放大器增益达到19dB，输入回波损耗低于-
10dB，输出回波损耗低于-8dB。

关键词：简化VBIC模型；InGaP/GaAs HBT；宽带放大器
EEACC: 1220; 1350
中图分类号：TN386 文献标识码：A 文章编号：0253-4177（ ）

1 引言：
得益于异质结结构，HBT成为当前最具发展潜力的半导体器件之一，并在军事、民用
等领域获得广泛应用。而迄今为止， 无论III-
V族化合物或是硅基HBT均未形成统一的大、小信号模型及其参数提取方法，这给基于该
类器件的RF/MMIC计算机辅助设计（CAD）带来极大的困难。考虑到III-
V族化合物如InGaP/GaAs
HBT可归于新的器件类型，但其基本工作原理和一般的BJT相比并没有本质区别，对基于
Si BJT工艺开发的BJT模型如VBIC等进行简化，并直接用于III-V族化合物HBT
RF/MMIC设计成为诸多射频工程师的选择。
直接耦合微波宽带放大器在Gbps（Gigabit-per-
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