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去耦电容和旁路电容的区别
去耦电容和旁路电容的区别 | |
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|旁路电容不是理论概念，而是一个经常使用的实用方法，在50 -- 60年代， |
|这个词也就有它特有的含义，现在已不多用。电子管或者晶体管是需要偏置 |
|的，就是决定工作点的直流供电条件。例如电子管的栅极相对于阴极往往要 |
|求加有负压，为了在一个直流电源下工作，就在阴极对地串接一个电阻，利 |
|用板流形成阴极的对地正电位，而栅极直流接地，这种偏置技术叫做“自偏” |
|，但是对（交流）信号而言，这同时又是一个负反馈，为了消除这个影响， |
|就在这个电阻上并联一个足够大的点容，这就叫旁路电容。后来也有的资料 |
|把它引申使用于类似情况。 |
| 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路 |
|的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电 |
|容值是 |
|0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布 |
|电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于 10MHz以下的噪 |
|声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容 |
|，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集|
|成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。最好不用电解|
|电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电 |
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