国外集成电路命名方法

国外集成电路命名方法
国外集成电路命名方法

|国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法 |
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|缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美） |


器件型号举例说明
|AM |29L509|P |C |B | |
|ANA首标 |器件 |附加说明 |温度范围 |封装形式 |筛选水 |
| | | | | |平 |
|AD：模拟|编号 |A：第二代产品|I、J、K、L |D：陶瓷或金属 |MIL-STD|
|器件 | |； |、M： |气 |- |
|HA：混合| |DI：介质隔离 |（0-70）℃；|密双列封装 |883B级 |
| | |产 | | |。 |
|A/D； | |品； |A、B、C： |（多层陶瓷）；| |
|HD：混合| |Z：工作在+12V|（-25-85）℃|E：芯片载体； | |
| | | |； | | |
|D/A。