【SI2307CDS-T1-GE3-VB】P沟道SOT23封装MOS管Datasheet

**VBsemi SI2307CDS-T1-GE3-VB 详细参数说明：**

- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- **封装：** SOT23
- **沟道类型：** P-Channel
- **最大电压：** -30V
- **最大电流：** -5.6A
- **导通电阻：** RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源极阈值电压：** Vth=-1V

**应用简介：**
SI2307CDS-T1-GE3-VB广泛应用于各种电子模块，特别是在以下领域模块中：

1. **电源模块：** 用于负载开关和调节电路，适用于低功率应用。

2. **电池管理：** 在便携设备和电池供电系统中，用于电池充放电管理。

3. **信号开关：** 作为信号开关器件，用于控制信号的连接和断开。

**作用：**
在这些模块上，SI2307CDS-T1-GE3-VB发挥以下作用：

1. **低功率转换：** 适用于低功率应用，提供可靠的功率转换。

2. **电流控制：** 通过精准的电流控制，适用于需要小功率电流管理的应用。

3. **信号开关：** 在信号开关电路中，用于控制信号的连接和断开，实现信号的切换。

**使用注意事项：**
- 需要确保工作电压和电流不超过规定的最大值。
- 在设计中考虑适当的散热措施，以确保器件正常工作温度。
- P-Channel MOSFET在导通状态下的电流是负值，需要根据应用情况正确连接。

以上简介仅供参考，具体应用需要根据实际设计和使用情况进行调整。