【BUK662R7-55C-VB】N沟道TO263封装MOS管Datasheet

型号: BUK662R7-55C-VB

丝印: VBL1603

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: TO263
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 60V
- 最大电流: 210A
- 开态电阻: RDS(ON) = 3.2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 2.9V

封装: TO263

**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** TO263，表明该器件使用TO263封装。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 60V，说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 210A，表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 3.2mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 2.9V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压。

**应用简介:**
BUK662R7-55C-VB是一款高功率N-Channel MOSFET，适用于多种高电流应用领域，包括但不限于：
1. **电源开关:** 由于其高电流承受能力，可用于高功率电源开关和电源逆变器。
2. **电机驱动:** 适用于大功率直流电机和工业电机的驱动电路，提供高效的电流控制。
3. **电源逆变器:** 用于高功率太阳能逆变器和其他电源逆变器，提供高效的能量转换。
4. **工业自动化:** 适用于需要高功率和高电流的工业自动化系统中的功率开关模块。

请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。