美国Tezzaron半导体公司近日发布了一种伪静态存储器原型，据报道，这种器件能实现1.3ns延迟时间，和每个针脚2Gb/s吞吐率。这种存储器增强的速度密度被认为是开发下一代测试设备和高速成像设备以及振兴L2和L3高速缓存的关键。

图4 基于电流变化 而不是电压变化的新型存储器技术能实现2Gb/s吞吐率

这种叫PSiRAM的器件采用能感知电流变化而不是电压变化的专利三晶体管单元。它由2Mb×16bit组成32Mb器件，工作电压1.2V。0.8V下的工作情况也进行了测试，在0.8V电压下，该器件速度超过400MHz，功耗不到0.125W。
因为PSiRAM采用标准CMOS逻辑工艺，Tezzaron计划出售该技术许可证，允许该技术用于SoC应用。成批生产预计明年开始，计划明年上半年采用130nm工艺，明年晚些时候采用90nm工艺。

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