视频名称: 基于SMD封装的高压CoolMOS
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标签: infineonMOSFETCoolMOSC6
简介: 20世纪80年代末期和90年代初期发展起来的以功率MOSFET和IGBT为代表的集高频、高压和大电流于一身的功率半导体复合器件,表明传统电源技术已经进入现代电源技术的新兴时代。详细介绍了英飞凌公司最新CoolMOS系列MOSFET独特的封装技术,在采用了表面贴装的ThinPAK后极可实现600伏的电压。另外,张建浩先生还就使用表面贴装MOS管提出了建议,即在PCB板上以打孔的方式,实现散热功能。
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