全球首发 | 全新一代SiC晶体生长热场材料

随着导电型SiC衬底的逐渐量产，对工艺的稳定性、可重复性都提出更高的要求。特别是缺陷的控制，炉内热场微小的调整或漂移，都会带来晶体的变化或缺陷的增加。后期，更要面临“长快、长厚、长大”的挑战，除了理论和工程的提高外，还需要更先进的热场材料作为支撑。

因此，「用」先进材料，「长」先进晶体势在必行。

但是，热场中坩埚的材料，石墨、多孔石墨、碳化钽粉等使用不当，会带来碳包裹物增多等缺陷。另外在有些应用场合，多孔石墨的透气率不够，需要额外开孔来增加透气率。再者，透气率大的多孔石墨，面临加工、掉粉、蚀刻等挑战。

基于此，恒普科技全球首发全新一代SiC晶体生长热场材料——多孔碳化钽。

据恒普科技透露，碳化钽的强度和硬度都很高，做成多孔状，更是挑战。做成孔隙率大、纯度高的多孔碳化钽更是极具挑战。

恒普科技突破性的推出大孔隙率的多孔碳化钽，孔隙率最大可以做到75%，处于国际领先水平。

该多孔碳化钽可应用在气相组元过滤，调整局部温度梯度，引导物质流方向，控制泄露等环节。值得一提的是，多孔碳化钽还可与恒普科技另外一款固体碳化钽（致密）或碳化钽涂层，形成局部不同流导的构件。此外，部分构件可以重复使用，降低了耗材的使用成本。

▌技术参数

◎孔隙率 ≤75% （国际领先）

◎形状：片状、筒状 （国际领先）

◎孔隙度均匀