- 碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管，但需要使用低热阻封装，比如 TO-247。然而，此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文，了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。这篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 发布，该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家领先的碳化硅 (SiC) 功率半导体制造商，它的加入促使 Qorvo 将业务扩展到电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、
- 关键字：Qorvo开尔文FET
- ASTM的方法B539“测量电气连接的接触电阻”和MIL-STD-1344的方法3002“低信号电平接触电阻”是通常用于测...
- 关键字：开尔文四线法接触电阻测量实例
开尔文介绍
您好，目前还没有人创建词条开尔文!
欢迎您创建该词条，阐述对开尔文的理解，并与今后在此搜索开尔文的朋友们分享。
创建词条
关于我们-
广告服务-
企业会员服务-
网站地图-
联系我们-
征稿-
友情链接-
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
