DRAM厂资本支出竞赛　三星更胜台厂一筹

　　台系DRAM厂开始规划2010年资本支出，估计包括南亚科、华亚科、力晶和茂德4家DRAM厂2010年资本支出逾新台币700亿元，且主要支出集中在台塑集团身上，台DRAM厂似乎又生龙活虎起来，开始扩大投资规模，然相较于三星电子(Samsung Electronics)2010年在存储器领域资本支出至少30亿美元来看，台系4家DRAM厂合计资本支出仍远落后三星，未来三星不仅将稳坐龙头，且恐将再度侵蚀台DRAM厂既有市占率。

　　三星是这一波DRAM产业海啸大赢家，这波巨浪吹倒台DRAM产业，亦让美、日系厂受伤惨重，三星不但保持获利，2010年更扩大资本支出，估计在存储器领域至少投入30亿美元，其中，多数将用于扩产DRAM，企图一举扩大市占率。

存储器业者指出，过去每次DRAM产业景气循环，只要能在景气最差时逆势加码投资扩产的业者，未来通常会是最大赢家，但这一波DRAM海啸吹走台DRAM厂募资能力，三星在此时大举加码扩产，预计到2011年全球DRAM产业竞局，赢家和输家会更壁垒分明。

　　台4家DRAM厂南亚科、华亚科、力晶和茂德等，2010年合计资本支出逾新台币700亿元，且部分资本支出规画未必会达到，要看届时筹资是否顺利。其中，台DRAM厂资本支出最高且筹资最顺利的是台塑集团，旗下南亚科2010年资本支出上看190亿元，主要用在50奈米制程，目前已展开机器设备添购，由于南亚科2009年办理3次筹资，包括私募、现金增资和银行联贷，募得430亿元，为2010年资本支出暖身。

　　华亚科2010年资本支出最惊人，高达新台币450亿元，由于旗下12寸晶圆厂产能达13万片，直接转至50奈米制程，因此，需要庞大资本支出。华亚科总经理高启全表示，已陆续添购机台，预计2010年第1季末将导入50奈米制程，2010年中约30~40%产能转至50奈米制程。

力晶与茂德2010年资本支出亦各有数10亿元，其中，力晶若要转至40奈米制程，资本支出冲至100亿元恐难免，但目前仍保守估计只需花费数10亿元;至于茂德2010年开始为尔必达 (Elpida)代工，与过去技术来源海力士(Hynix)的机器设备不同，因此，需要花费50亿~60亿元添购新设备。