Intel-镁光发起反击,2xnm制程NAND芯片将投入试制

　　在本月22日召开的一次电话会议上，镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品，并对其进行取样测试。尽管镁光没有透露这种2xnm制程的具体规格数字，但外界认为他们很可能会于明年初公布有关的细节信 息。这样，镁光及其NAND技术的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用这种新制程技术，甩开对手三星和东芝，重新回到领先全球NAND制作技术的宝 座上。目前Intel和镁光两家公司合资创立有一家专门负责NAND业务的IM闪存技术公司。

　　除了制造闪存芯片之外，Intel和镁光还有出售基于NAND闪存芯片的SSD硬盘产品，其中Intel的SSD硬盘业务状况可谓相当不错，而镁光则在这方面进行得不太顺利。

　　Intel-镁光联盟曾一度在NAND制程竞赛中占据领先地位，他们抢先推出了基于34nm制程的NAND闪存芯片产品。不过今年4月份，东芝公司凭借自己的32nm制程产品超越了Intel-镁光联盟。

　　今年八月份，NAND业界则又开始了新一轮的3位元NAND技术竞赛，Intel-镁光联盟抢先宣布其34nm制程三位元NAND芯片。不过本月早些时候，韩国三星电子公司则宣布开始量产30nm制程三位元MLC NAND芯片产品，这种芯片产品的存储密度可达32Gb(内部存储单元共4G个，每个存储单元可存放3位数据).

　　现在Intel-镁光联盟开始推进NAND闪存的2xnm制程，不过根据iSuppli的统计数字表明：三星在NAND市场上的市占率仍为最高，而东芝则正在威胁其位置，至于Intel则仍然在市占率方面排在两者的后面。