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Hittite推出适合LTE/4G应用的新型SMT封装双平衡混频器

作者: 时间:2010-03-16 来源:电子产品世界 收藏

  全球知名的射频微波MMIC厂商HITTITE最近推出了一款新型的基于砷化镓MMIC的HMC915LP4E。

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/106964.htm

  该采用4*4mm的QFN SMT封装,与HITTITE另一款双平衡HMC215LP4E(工作频带1.7到4.0GHz)管脚兼容。HMC915LP4E可工作在0.5到2.7GHz,适合应用在宽带,/,和测试设备中,既可以用做上变频器也可以用做下变频器。

  HMC915LP4E本振端和射频端的隔离度为32dB,变频损耗低至8dB,输入IP3则高达28dBm。在宽中频情况下,既可用在高本振环境也可用在低本振环境,此时中频可高达1GHz。HMC915LP4E内部本振端集成了一个缓冲放大器,这使得其本振端的输入电平在-2到6dBm,可以直接由频综的输出口驱动。

  HMC915LP4E样片和评估板现在已经可以提供,详情可致电HITTITE授权代理商世强电讯



关键词:HittiteLTE4G混频器

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