SanDisk推出19纳米存储制造工艺

　　SANDISK Corporation 近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell (X2) 技术的64-gigabit (Gb) 单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设备的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。

SanDisk将于本季度推出19纳米64Gb X2芯片的样片，并预计于2011年下半年开始量产。届时，SanDisk还将在其产品系列中添加一款基于19纳米工艺技术制造的3-bits-per-cell (X3) 产品。

　　SanDisk执行副总裁兼首席技术官Yoram Cedar表示：“通过与制造伙伴东芝 (Toshiba) 的持续合作，我们非常高兴能够推出基于行业领先的19纳米工艺技术的全球最小、成本最低的NAND闪存芯片。基于该项技术的产品将帮助实现新的应用、尺寸和消费者体验，正是这些应用将闪存行业的发展推上了新的台阶。”

　　19纳米存储芯片采用了包括先进的工艺创新和单元设计解决方案在内的、时下最先进的闪存技术制造工艺。SanDisk的All-Bit-Line (ABL) 架构拥有专用的程序设计算法和多层式数据储存管理方案，从而在制造多层单元 (MLC) NAND闪存芯片时不会影响其性能或可靠性。