海力士半导体放缓NAND Flash工艺转换速度

　　南韩半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NANDFlash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NANDFlash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。

海力士相关人员表示，26纳米制程NANDFlash比重至2011年3月底约为40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26纳米制程产品将逐渐取代32纳米制程产品，成为海力士主力产品。

　　NAND Flash为非挥发性内存芯片，即使中断供电也能储存信息，是智能型手机、平板计算机等行动装置的主要内存。若采用26纳米制程生产的NAND Flash，可缩减单一晶圆生产的半导体尺寸，生产性较32纳米制程提升60%以上。

　　尤其26纳米制程在生产32Gb和64Gb等高容量NAND Flash产品时，较32纳米制程更有利，可积极应对近来以行动装置为中心暴增的内存需求趋势。

　　海力士目前正在忠清北道清州厂增建NAND Flash专用厂M11，而M11大部分为26纳米制程设备。海力士相关人员表示，海力士2011年将会致力强化NAND Flash竞争力，在转换至26纳米制程后，计划2011年下半开始投入20纳米制程NAND Flash量产。另一方面，海力士2010年第3季到第4季，在NAND Flash市场的市占率从9.4%攀升至10.4%，2011年第1季扩大至10.7%。