芯片如何给力无线技术创新？

LTE的商用能力取决于芯片环节的成熟，这已是不争的事实。

　　从去年全球各地建设LTE试验网、世博会试用TD-LTE到今年多个地区开通LTE商用服务、国内TD-LTE进入6+1城市规模试验阶段，LTE终端数量也随之不断增多，但相比先期涌现出的单模LTE终端，终端和芯片厂商已将多模多频视为现阶段的攻关重点。

　　多模需求增大

　　LTE在今年正式开局，也对芯片提出了兼容FDD/TDD/WCDMA/EV-DO/GSM等多制式、支持十几个频段的新需求。尽管参与LTE芯片研发的企业数量越来越多，但一位业界人士直言不讳称，对目前LTE芯片领域热闹非凡的现象不要太过乐观，因为多模多频的挑战会在LTE接下来发展中变得越来越现实，而届时真正能支持此需求的芯片厂家并不多。“最大的挑战来自于射频收发RFIC，从目前的技术水平看，真正有能力支持多模十几个频段的RFIC厂商仅包括高通、ST-Ericsson等几家。”

　　中国移动终端部副总经理耿学锋不久前在某厂商的会议上表示，在今年5?9月的第一阶段LTE终端测试上将进行TD-LTE单模测试，完成单模主要技术验证;今年10月到明年3月的第二阶段将进行TDD/FDD多模测试，2012年7?12月实现小批量的验证，同时要求厂商具备商用供货能力。

　　相比之下，具有丰富商用经验的芯片巨头在多模产品上动作更快，例如今年2月ST-Ericsson推出的ThorM7400平台已具备支持大多接入技术包括LTEFDD、TD-LTE、HSPA+、TD-SCDMA、EDGE等。

联芯科技也于今年4月推出国内首款TD-LTE/TD-HSPA双模基带处理器芯片LC1760。

　　微架构新趋势

　　除了多模多频的挑战，芯片的工艺与功耗也成为考验厂商能力的指标。

　　此前中国移动研究院院长黄晓庆提出，针对LTE的数据业务，TD-LTE数据卡至少需要65nm工艺的支持才能满足市场需要，在2011年的规模试验中，65/45nm工艺以及GSM/LTE、GSM/TD-SCDMA/LTE多模终端已列入测试内容中，而在2012?2013年的试商用/商用阶段，28nm工艺有望得到测试和应用，届时将极大提高TD-LTE终端的成熟和性价比。

联芯科技副总裁刘迪军接受本刊采访时称，65nm/55nm工艺目前仍是芯片的主流工艺，但包括联芯科技在内的众厂商正在重点开发40nm架构的产品。“从工艺角度来看，微架构的主要作用除了能使芯片处理速度提高、集成度提高，还能大幅降低功耗。”

　　事实上，28nm工艺已经用于实际产品。今年2月，高通推出了采用28nm微架构制造的支持LTE/双载波HSPA+/EV-DORev.B/TD-SCDMA的芯片组，同时还推出了支持下一代平板电脑及的四核Snapdragon芯片组，其核心架构也是28nm微架构。高通人士称，这一架构的最大意义在于可支持更大的屏幕尺寸与更高的分辨率、更复杂的操作系统、多任务处理、多声道音频、高清游戏、立体3D(S3D)照片与视频捕获和播放，以及通过HDMI实现向1080P平板显示器的高清输出。