尔必达宣布移动设备DDR3内存开发完成

　　日本尔必达公司近日宣布，针对下一代移动设备如智能手机和平板电脑的LPDDR3内存颗粒开发完成，预计年底开始试产，2012年下半年开始量产。目前市面上的所今ARM架构SoC处理器以及新鲜亮相的NVIDIA Tegra 3，高通Snapdragon S4集成的内存控制器均为LPDDR2。尔必达这一产品瞄准的应该是ARM Cortex-A15架构SoC上市后的广大市场空间，以及有可能加入战局的Intel Medfield核心SoC。

尔必达新鲜研发的LPDDR3内存颗粒采用30nm CMOS制程，FBGA封装，颗粒带宽32bit。速度方面最高可达1600Mbps(等效DDR3-1600)，内存带宽可达6.4GB/s。

　　功耗方面，新的LPDDR3内存颗粒运行电压1.2V，相比上代LPDDR2功耗可减少约25%。此外，还可采用PoP(Package on Package)堆叠式封装制造8Gbit或16Gbit的颗粒。