富士通半导体与SuVolta携手合作

　　图2. 576kSRAM良率

总结与未来计划

　　DDC晶体管的工艺流程已经成功建立。所制造的DDC晶体管显示VT波动比基准流程改善了50%，并且产出在0.425V电压下仍能运作的SRAM，充分证明了DDC晶体管有能力将供应电压降低到0.4V左右。

富士通半导体将发展这项技术并积极回应客户在消费电子产品，移动设备及其他领域对于低功耗/低电压运行的要求。