新型IGZO TFT驱动的OLED面板首次在日本公开

　　日本半导体能源研究所在太平洋横滨国际会展中心举行的"FPD International 2012"(2012年10月31～11月2日)上，展示了13.5英寸和3.4英寸的OLED面板。该研究所在2012年6月曾于美国波士顿举行的"SID 2012"上与夏普共同发表过相关技术，此次是首次在日本面向公众公开。

　　13.5英寸的OLED面板

　　13.5英寸产品为3840×2160像素(4K×2K)，3.4英寸产品为960×540像素。精细度均高达326ppi。驱动元件采用氧化物半导体TFT，利用使IGZO层沿c轴方向结晶生长的"CAAC(C-Axis Aligned Crystal)"构造。采用在白色OLED元件上使用RGB三色彩色滤光片的方式实现了彩色显示。OLED元件构造为从TFT基板相反一侧提取光的顶部发光型。3.4英寸产品通过采用树脂基板实现了柔性化。

　　3.4英寸的柔性OLED面板

　　据半导体能源研究所介绍，上述开发品均"通过反复试制提高了显示特性"。驱动元件在半导体能源研究所的全资子公司Advanced Film Device Inc试制，OLED元件在半导体能源研究所试制。

　　3.4英寸试制品将OLED元件的元件构造由从TFT基板提取光的底部发光型变更为顶部发光型。重2g，厚度不到0.1mm。制作方法为，首先在玻璃基板上形成驱动元件和OLED元件等，然后再移到树脂基板上，从而实现了柔性化。