安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列

安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列，推出18款新计算器件

功率MOSFET优化直流-直流转换并降低CPU/GPU 供电、直流－直流转换器及高低端转换中的临界电流水平功耗

安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。

这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。

安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要，安森美半导体一直在拓展PowerFET产品系列，以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资源，所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”

器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。

器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
• NTD4804N 30 V 117 A 4 mΩ 30 nC
• NTD4805N 30 V 88 A 5 mΩ 20.5 nC
• NTD4806N 30 V 76 A 6 mΩ 15 nC
• NTD4808N 30 V 63 A 8 mΩ 11.3 nC
• NTD4809N 30 V 58 A 9 mΩ 10.7 nC
• NTD4810N 30 V 54 A 10 mΩ 9 nC
• NTD4813N 30 V 40 A 13 mΩ 6.9 nC
• NTD4815N 30 V 35 A 15 mΩ 6 nC

其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。

器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
• NTMFS4833N 30 V 191 A 2 mΩ 39 nC
• NTMFS4834N 30 V 130 A 3 mΩ 33 nC
• NTMFS4835N 30 V 104 A 3.5 mΩ 25 nC
• NTMFS4836N 30 V 90 A 4 mΩ 19.1 nC
• NTMFS4837N 30 V 74 A 5 mΩ 14.2 nC
• NTMFS4839N 30 V 66 A 6 mΩ 12 nC
• NTMFS4841N 30 V 57 A 7 mΩ 11.9 nC
• NTMFS4741N 30 V 67 A 8 mΩ 15 nC
• NTMFS4744N 30 V 53 A 10 mΩ 10 nC
• NTMFS4747N 30 V 44 A 13 mΩ 12 nC

更多关于安森美提供的所有功率MOSFET器件的信息，请访问http://www.onsemi.com.cn 或联系Kathleen Van Tyne (电邮地址: k.vantyne@onsemi.com)。