WJ推出28 V InGaP HBT功率放大器技术
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“对于研究成功这项新的28V InGaP HBT工艺,我们感到十分振奋。这项技术显着地提高了邻近频道功率比/邻近频道泄漏比(ACPR/ACLR)性能,而效率与市场上目前的LDMOS产品相当或者更高。”WJ通讯公司负责工程技术的副总裁Morteza Saidi说道。“用这项技术制造的器件可以作为B类放大器使用,由于独特的电路设计(已经申请专利权),它的ACPR/ACLR性能仍然很好。我们初步计划推出几种1 dB压缩点(P1dB)功率为10 W的产品,这项技术也适合于制造功率更大的产品。”
工艺简介
+28 V InGaP HBT工艺是先进的技术,它的击穿电压极高,能够用于很大的功率。我们已经在半导体结温为315 ℃的情况下进行了4000小时的寿命试验,而且它的β降级极少。我们已经证明这项工艺在输入过载6 dB时,仍然不会损坏。
封装的开发
WJ通讯公司还研制了一种可以进行表面贴装的功率QFN封装,用于这些InGaP HBT产品,它是使用低熔点贴片技术把芯片贴上去,大量地降低了热阻,保证它能够可靠地工作。
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