控制驱动VR的方法

　　调节关断延迟，用一个或门在一个大约2V输入阈值，来检测VR的栅源电压和漏源电压两者是否都为低电平时的状态，从或门出来的高电平指示控制器，告之延迟时间太长，控制器就会在下一个开关周期减少延迟。

　　或门输出被锁存、倒相并送至开启延迟计数器的UP/DOWN输入端，该信号告诉计数器向上记数或向下记数。如果或门输出为高电平，则记数器向下记数，减少延迟时间。而或门为低电平输出时，计数器向上记数，则增加延迟时间。计数器并有效地保持该延迟信息给下一个工作周期。反馈环会调节开启延迟使之缩短，直到或门没有更长的输出脉冲，当计数器工作在恒定负载和线路电压时，对下一个周期的开启延迟将稍微有些加长，或门将给出高输出脉冲，延迟将会缩短，在这种方式中，电路会在两个延迟时间之间抖动，一个长一些，另一个就会接近最佳状态。

　　关断控制器工作在与开启控制器非常相似的管理方式。不同之处在于电压检测电路及计数器的记数方向。当体二极管导通时，用一高速比较器检测。为了更加精确，一个比较器用于检测体二极管导通，去替代或门，在开启的期间，电流正从整流MOSFET向回流MOSFET换向，电流的DI/DT非常高，VR的源漏电压上通常可看到其震铃。如果用一个比较器检测体二极管在VR导通期间的体二极管状态，由于源漏电压的振铃，可能会出现误触发。在VR关断期间，通过VR MOSFET器件的电流是恒定的。该电流或者通过其通道或者通过其体二极管。在关断时，仅有非常小的振铃，比较器用来改善精度，比较器的阈值必须比先前的MOSFET通道导通时的误触发值更负向一点。

　　在通道导通期间，源漏电压大约等于I LOAD*.RDS(ON)，并规定了噪声。比较器阈值设置在大约-300mV。比较器比较VR的源漏电压与此设置阈值，从比较器出来的高电平指示给控制器，系体二极管在导通，延迟时间需要增加，这与开启局面精确对应。因为关断延迟记数设置在起始时全部为0。图4(a)和(b)示出VR关断波形及比较器的输出。

　　图4 VR的关断波形

　　(a)非最佳延迟( b)最佳延迟

　　图4(a)示出当延迟设置太短时电路的工作状态。图4(b)示出最佳延迟状态。由于在VR导通中，关断延迟在某一值处处于抖动状态，这就是太长以及最佳值的两个状态。

　　问题出现：开启延迟及关断延迟可否设置的短些，这是否会造成交叉导通，问题在于仔细地研究比较器的特性，及延迟线的每个元件的延迟，比较器仅能响应差分输入电压，此电压仅在转换间隔结点上有足够的时间总量才会存在。假定比较器可以检测出体二极管导通用5ns时间。在下一个周期内，延迟即可调节，用延迟线上一位数码去减少体二极管的导通。当然，比较器也不会去响应下一个周期体二极管的导通，因为它在延迟线的每个元件上大约减少5ns的延迟时间。关键防止交叉导通的措施是设置的每个元件的延迟要比比较器可检测的最小脉宽要少。

　　B、 控制驱动QF的执行

　　正向整流的QF的控制和回流元件VR很不一样。一个主要的区别是：其目标是在变压器复位后即将QF开启，它独立于PWM控制信号的上升沿和下降沿，它不同于回流的MOSFET。此处，目标只不过是调节PWM控制器信号的上升沿及下降沿的时间，以减少VR体二极管的导通时间，并使之最小化。

　　了解该目标是在变压器复位后要将QF导通，一个好的起始点就是图5所示出的使QF导通所需的电路。

　　图5 VR的控制电路