控制驱动VR的方法

　　首先，一个高速体二极管比较器用于检测QF开始导通时的体二极管，它在变压器复位时间间隔结束时发信号，偏巧如图6所示，这个比较器还将检测出的初级侧MOSFET Q1关断后令其体二极管正好导通。

　　使用该比较器仅单独为开启QF，并确保在Q1进入关断的时间。这样变压器将绝不容许复位。为防止这一点，用一个低速比较器检测QF的源漏电压升至2.5V。当QF源漏电压升过2.5V时，设置了一个预置锁存调节，它将使高速体二极管比较器能输出工作。在QF源漏电压降过-300mV的体二极管比较器阈值，QF就立刻导通，并设置QF的控制锁存。在高速比较器输出变成高电平。预置锁存即刻复位，开启电路在下次导通事件中就处在恰当状态。从体二极管比较器检测出体二极管的导通固有延迟期间，到QF导通的通道，体二极管传导变压器的磁化电流。虽然在此间隔内，在QF体二极管有导通损耗，但与之相比，这已是QF遇到的最小的损耗。如果QF在此糟糕的时间间隔还保持关断的话。为完全消除这个损耗，用一个相同的预先控制的方案，用来开启VR，虽然这在理论上是可以的，但实际上会相当困难，因为此处没有PWM控制信号的脉冲沿存在，此时系变压器完全复位的状态。

　　图6VR预锁存波形

　　一个输出起始设置在零的计数器控制着关断电路。采用将计数器输出全部设置为0，也即在PWM控制信号的下降沿及QF的栅源电压之间实际上为零延时，结果QF的栅源电压，VR的漏源电压以及与门输出的三个波形示于图7(a)。

　　图7 VF的关断波形

　　(a)非最佳延迟(b)最佳延迟

　　VF关断电路中的与门更多的作用如VR开启控制电路中的或门，给一个命令到计数器，以直接令计数器向上或向下记数。在VF的关断电路的情况，一个高电平从与门直达计数器以便在下个周期中向上记数。当计数器为下个周期增加一个记数值，则PWM控制器的下降沿与VF的栅源电压之间的延迟就会增加，从与门的输出脉冲就会变窄，这个反馈影响将持续到VF的栅源电压和VR的漏源电压能够同步。当延迟最佳化时，波形示于图7(b)。

　　如在VR控制执行电路中所描述，电路将会在两个延迟值之间抖动，一个是最佳值，而另一个比最佳值略长一些。