集成电路热插拔电路

　　在图1a齐纳二极管ZD1防止第一季度栅源路口不超过其最高评级。 (请注意，在图1a(± 20V的)太小，承受24V的工业或48V的电信应用。)如果电源循环迅速VGS电压最高，负载电容可以出院，而C1的收费仍足以维持在第一季度。这个条件可以减少电流限制功能，允许大电流浪涌电源时恢复。还有另一个电容齐纳场效应管的拓扑的缺点：目前的限制是积极的，只有在电且仅当C1是出院。一旦断电，电路不能防止过流和短路条件。阿保险丝通常雇用的目的。

　PNP晶体管和电流检测电阻

　　另一个热插拔应用(图2a和2b)电路使用一个PNP晶体管(Q1)和一个电流检测电阻(R1)，以提供连续电流感应和限制。由于权力是通过应用，电流流R1和第二季度的负载。电流通过R1 VBE中创造了第一季度的偏置电压。如果电流足够大，以第一季度的偏见，然后通过限制第一季度第二季度到负载传导通过降低栅源电压的第二季度。请注意，齐纳二极管可在第二季度的栅源交界的图1a()，以防止对第二季度和第一季度的VCE过电压击穿的补充。

　　图2a。另一个热插拔电路实现电流感应及2A与PNP晶体管(第一季)限制。这说明了开启在图2b波形。

　　图2b。 CH1为电流; CH2的是第二季度栅极电压。

　　此电路的优点，与图1a是，目前的限制是始终启用。这种积极的功能附带了一个缺点：与负载系列R1的增加功耗。此外，电流限制可以更改高达± 20的Q1的VBE中在温度变化范围为-40 ° C至+85 ° C的后果%在图1a(在图2a，如果将齐纳二极管)应足够小，以保护晶体管，但足以让场效应管其身份证在最低范围内充分传导的RDS(ON)。

优势热插拔电路

集成电路为基础的热交换电路提供小型封装许多功能，他们需要很少的外部元件。图3a，例如，显示了低电压热插拔应用程序，只需要一个电流检测电阻(R1)和2.7之间的一系列通元操作(第一季度)至13.2V。该电路提供浪涌电流限制(图3b)和双过电流故障保护，而从高振幅电路故障和一个低振幅反应迟缓MAX4370组成快速反应，破坏性的过电流条件。

　　图3a。一个IC的热插拔电路使用MAX4370提供了更好的准确性和使用的几部分

　　图3b。请注意在该启动波形范围阴谋ILOAD限制。数据生成与MAX4370热插拔控制器。