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基于O.18μm CMOS工艺的宽带LCVCO设计

作者: 时间:2009-07-28 来源:网络 收藏

本文引用地址://m.amcfsurvey.com/article/181294.htm


通常衡量VCO的指标有:自振频率、振荡范围、输出幅度,相噪.功耗等。一般采用优值FOM(Figure of Merit)来评价VCO的优劣:


其中:f0是自振频率,△f为频偏.L(△f)是频偏△f,处的相噪。P为直流功耗

2 宽带LCVCO设计实现
本文目标是设计一个覆盖1.1 GHz~2.1 GHz频段的CMOS LCVCO电路。覆盖范围包括如表l所示的各标准协议频段。
使LCVCO获得大调谐范围的方法之一是增大容抗管的Cmax/Cmin,但这会增大VCO的压控增益KCCO。,致使相噪恶化。为了解决这个矛盾,通常采用开关电容阵列(DC-CA)把频带分为若干子频带,通过开关电容的接人与断开来实现子频带之间的切换,子频带内则由容抗管的调谐来实现覆盖,其结构图如图3。


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关键词:耦合低功耗射频

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